特許
J-GLOBAL ID：201003075972486708
炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-198351
公開番号（公開出願番号）：特開2010-040564
出願日： 2008年07月31日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：
【課題】高いチャネル移動度を再現性良く実現することができる炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、{0001}面に対して50°以上65°以下の範囲内で傾いている結晶面からなる側壁を備えた溝を表面に有する炭化ケイ素からなる半導体層と、溝の側壁に接触するように形成された絶縁膜とを備え、溝の側壁と絶縁膜との界面から10nm以内の領域における窒素濃度の最大値が1×1021cm-3以上であって、溝の側壁内において<-2110>方向に直交する方向±10°の範囲内にチャネル方向を有する炭化ケイ素半導体装置とその製造方法である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
{0001}面に対して50°以上65°以下の範囲内で傾いている結晶面からなる側壁を備えた溝を表面に有する炭化ケイ素からなる半導体層と、
前記溝の前記側壁に接触するように形成された絶縁膜とを備え、
前記溝の前記側壁と前記絶縁膜との界面から10nm以内の領域における窒素濃度の最大値が1×1021cm-3以上であって、
前記溝の前記側壁内において<-2110>方向に直交する方向±10°の範囲内にチャネル方向を有する、炭化ケイ素半導体装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L29/78 652T
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652F
, H01L29/78 652K
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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