レジストパターンの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：長谷川芳樹 , 清水義憲 , 三上敬史 , 沖田英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-052248
公開番号（公開出願番号）：特開2010-237665
出願日： 2010年03月09日
公開日（公表日）： 2010年10月21日
要約：

【課題】従来の方法では、微細化と同時に、パターンの断面形状の点でも十分なレベルを達成することが困難であった。【解決手段】以下の(1)の工程:(1)レジスト膜を形成し、これを露光すること、を行うこと等によりパターン化されたレジスト膜を形成する工程を、n回繰り返して、パターン化されたn個の上記レジスト膜ら構成されるレジストパターン3を得る、レジストパターンの製造方法であって、レジスト膜を形成するn回の上記工程のうち少なくとも1回における上記(1)の工程で露光される上記レジスト膜が、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となる樹脂であって重量平均分子量が7000〜10000でガラス転移点が150〜200°Cである樹脂(B)と、光酸発生剤(A)と、架橋剤(C)とを含有するレジスト組成物を成膜して形成される膜である、製造方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

以下の(1)、(2)及び(3)の工程: (1)レジスト膜を形成し、これを露光すること、 (2)露光された前記レジスト膜を加熱すること、及び (3)前記レジスト膜をアルカリ現像によりパターン化すること、をこの順に行うことによりパターン化されたレジスト膜を形成する工程を、n回(nは2以上の整数)繰り返して、レジストパターンを得る、レジストパターンの製造方法であって、パターン化されたレジスト膜を形成するn回の前記工程のうち少なくとも1回目〜n-1回目において、前記(3)の工程の後に以下の(4)の工程: (4)パターン化された前記レジスト膜を加熱すること、を更に行い、パターン化されたレジスト膜を形成するn回の前記工程のうち少なくとも1回における前記(1)の工程で露光される前記レジスト膜が、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶性となる樹脂であって重量平均分子量が7000〜10000でガラス転移点が150〜200°Cである樹脂(B)と、光酸発生剤(A)と、架橋剤(C)とを含有するレジスト組成物を成膜して形成される膜である、製造方法。

IPC (5件)：

G03F 7/40 , H01L 21/027 , G03F 7/20 , G03F 7/039 , G03F 7/004

FI (8件)：

G03F7/40 511 , G03F7/40 501 , H01L21/30 502R , H01L21/30 570 , G03F7/20 521 , G03F7/039 601 , G03F7/004 501 , G03F7/40 521

Fターム (41件)：

2H096AA25 , 2H096BA11 , 2H096DA01 , 2H096EA05 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096HA01 , 2H096HA05 , 2H125AE02P , 2H125AE04P , 2H125AF17P , 2H125AF22P , 2H125AF36P , 2H125AF38P , 2H125AH17 , 2H125AH19 , 2H125AJ14X , 2H125AJ65X , 2H125AJ66X , 2H125AJ69X , 2H125AN37P , 2H125AN39P , 2H125AN45P , 2H125AN54P , 2H125AN65P , 2H125AN67P , 2H125AN85P , 2H125BA02P , 2H125BA22P , 2H125BA24P , 2H125BA26P , 2H125CA12 , 2H125CB09 , 2H125CC03 , 2H125CC15 , 2H125CD08P , 2H125CD14P , 2H125CD38 , 2H125FA18 , 5F046JA22 , 5F046LA18

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