特許

J-GLOBAL ID：201003076191820293

固体撮像装置

発明者： 若森 康男
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (1件)： 松本 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-020965
公開番号（公開出願番号）：特開2010-177594
出願日： 2009年01月30日
公開日（公表日）： 2010年08月12日
要約：

【課題】 長波長帯域の受光感度を電気的に制御可能な固体撮像装置を提供する。【解決手段】 撮像部10Aは、p型Si基板の一表面を撮像面とする。そして、撮像部10Aは、このp型Si基板の撮像面近傍に形成された第1のn型不純物層を各々含み、光電変換によりp型Si基板内に生成され、第1のn型不純物層に蓄積された電荷を示す画素信号を各々出力する複数の画素10を有する。また、撮像部10Aは、第1のn型不純物層よりも撮像面から深い位置に第2のn型不純物層を有する。タイミングジェネレータ50の収集範囲制御手段51は、第2のn型不純物層に与える制御電圧Vsbを制御することにより、p型Si基板内において光電変換により生じた電荷の収集範囲を制御する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1の導電型の半導体基板の一表面を撮像面とし、前記半導体基板の前記撮像面近傍に画素毎に形成された第2の導電型の第1の不純物層を各々含み、光電変換により前記半導体基板内に生成され、前記第1の不純物層に蓄積された電荷を示す画素信号を各々出力する撮像部であって、前記第1の不純物層よりも前記撮像面から深い位置に第2の導電型の第2の不純物層を有する撮像部と、 前記第2の不純物層に与える制御電圧を制御することにより、前記第1の不純物層と前記半導体基板との接合により生じる第1の空乏層に対して、前記第2の不純物層と前記半導体基板との接合により生じる第2の空乏層を接続させるとともに、前記第1の空乏層と前記第2の空乏層の接続部の前記半導体基板の表面からの深さ方向の位置を制御し、前記半導体基板内において光電変換により生じた電荷の収集範囲を制御する収集範囲制御手段と を具備することを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L27/14 A ,  H04N5/335 E

Fターム (20件)：

4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118CA27 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118GC07 ,  4M118GC08 ,  5C024AX01 ,  5C024AX06 ,  5C024CY47 ,  5C024DX01 ,  5C024EX52 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5C024GY31