特許

J-GLOBAL ID：201003076712879729

回路基板及びその製造方法、電子部品モジュール

発明者： 藤田 卓 ,  渡辺 純一
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
代理人 (2件)： 堀 城之 ,  塩田 康弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-170124
公開番号（公開出願番号）：特開2010-010537
出願日： 2008年06月30日
公開日（公表日）： 2010年01月14日
要約：

【課題】信号端子を厚く、その幅を広くした場合にも、信号端子と金属回路板との間の充分な接合強度を得る。【解決手段】セラミックス基板11の一方の面に金属回路板12が形成されている。金属回路板12には信号端子13が接合されており、信号端子13はセラミックス基板11から大きく突出した形態となっている。信号端子13の一部は金属回路板12に積層され、外部に配線を引き出すために金属回路板12に接合される。この信号端子13は金属回路板12に超音波接合されるが、その際に、2回に分けて接合される。この際には超音波接合器のホーンが圧着され、超音波がホーンに印加されてこれらが接合される。図1におけるホーン圧着箇所15、16の2箇所は、このホーンが圧着される箇所、すなわち超音波接合が行われる箇所であり、ホーン圧着箇所15、16の間にはスリット17が形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

セラミックス基板の表面に形成された金属回路板に、信号端子の一部が積層され、複数の箇所で超音波接合が行われることによって前記金属回路板と前記信号端子とが接続された回路基板であって、 前記信号端子において、前記超音波接合が行われる複数の箇所の間にスリットが形成されたことを特徴とする回路基板。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (2件)：

H01L23/12 K ,  H01L25/04 C

引用特許：

出願人引用 (1件)

• セラミック回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-357992   出願人：京セラ株式会社