特許

J-GLOBAL ID：201003077434693232

発光素子用エピタキシャルウェハおよびその製造方法

発明者： 佐藤 薫由
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-094899
公開番号（公開出願番号）：特開2010-245435
出願日： 2009年04月09日
公開日（公表日）： 2010年10月28日
要約：

【課題】蓄積された製造技術やノウハウを活かしつつ、p型不純物の拡散を抑えた発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】n型GaAs基板2上に、少なくともAlGaInP系材料からなるn型クラッド層3、活性層5、p型クラッド層7およびp型GaAsキャップ層8を順次積層したダブルヘテロ構造を有する発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、p型クラッド層7中のp型不純物が炭素とマグネシウムであり、p型GaAsキャップ層8中のp型不純物が炭素と亜鉛であるものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

n型GaAs基板上に、少なくともAlGaInP系材料からなるn型クラッド層、活性層、p型クラッド層およびp型GaAsキャップ層を順次積層したダブルヘテロ構造を有する発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、 前記p型クラッド層中のp型不純物が炭素とマグネシウムを含み、前記p型GaAsキャップ層中のp型不純物が炭素と亜鉛を含むことを特徴とする発光素子用エピタキシャルウェハ。

IPC (3件)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/30 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01S5/323 ,  H01L33/00 184 ,  H01L21/205

Fターム (43件)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA49 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA72 ,  5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AD12 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA59 ,  5F045EE12 ,  5F173AA01 ,  5F173AF15 ,  5F173AF18 ,  5F173AF35 ,  5F173AF38 ,  5F173AF75 ,  5F173AF78 ,  5F173AH08 ,  5F173AJ03 ,  5F173AJ04 ,  5F173AJ06 ,  5F173AJ43 ,  5F173AP06 ,  5F173AP52 ,  5F173AQ12 ,  5F173AQ16 ,  5F173AR23 ,  5F173AR83 ,  5F173AR92