特許
J-GLOBAL ID：201003077644429961

窒化物ベースのHEMTの高温イオン注入

発明者：
サボロフ, アレキサンダー

サボロフ, アレキサンダー について

, 
シェパード, スコット ティー.

シェパード, スコット ティー. について


出願人/特許権者：
クリー, インコーポレイティッド

クリー, インコーポレイティッド について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-522985
公開番号（公開出願番号）：特表2010-537447
出願日： 2008年06月20日
公開日（公表日）： 2010年12月02日
要約：
高電子移動度トランジスターを形成する方法が開示される。この方法は、規定された位置においてIII族窒化物層にイオンを注入するステップを含み、イオンは、注入されるとき層と接点の金属との間に改善されたオーム接点を生成し、注入は、室温より高く、III族窒化物層に加えられる損傷の量を低減するのに十分に熱いが、ゲートでの漏出またはエピタキシャル層解離をもたらす表面の問題が生じる温度よりも低い温度で行われる。チタン、アルミニウム、ニッケルおよびそれらの合金で構成される群から選択されるオーム接点が、該III族窒化物層上の注入される規定された位置に付加される。
請求項（抜粋）：
高電子移動度トランジスターを形成する方法であって、該方法は、 規定された位置においてIII族窒化物層にイオンを注入することであって、該イオンは、注入されるとき、該層と接点の金属との間に改善されたオーム接点を生成し、該注入は、室温より高く、III族窒化物層に加えられる損傷の量を低減するのに十分に熱いが、ゲートでの漏出またはエピタキシャル層解離をもたらす表面の問題が生じる温度よりも低い温度で行われる、ことと、 オーム接点を、該III族窒化物層上の注入される規定された位置に付加することと を包含する、方法。
IPC (4件)：
H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/417
FI (2件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/50 J
Fターム (28件)：
4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB26 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD56 ,  4M104DD79 ,  4M104GG12 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15 ,  5F102FA00 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GV08 ,  5F102HC07 ,  5F102HC21
引用特許：
審査官引用 (2件)

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