特許

J-GLOBAL ID：201003077742726630

有機薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 葛本 恭崇 ,  青森 繁 ,  北村 雅季 ,  荒川 泰彦
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  国立大学法人 東京大学
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-003943
公開番号（公開出願番号）：特開2010-161312
出願日： 2009年01月09日
公開日（公表日）： 2010年07月22日
要約：

【課題】閾値電圧以外の電流特性に大きな影響を与えることなく、選択的に閾値電圧を制御できる有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】本発明の有機薄膜トランジスタ100は、基板1上に、ゲート電極2と、ゲート絶縁膜3と、ソース電極4と、ドレイン電極5と、有機半導体層7とが形成されており、さらに、ソース電極4表面に、ベンゼンチオール化合物からなるチオール化合物層8が形成され、ドレイン電極5の表面に、ベンゼンチオール化合物からなるチオール化合物層9が形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、ソース電極と、ドレイン電極と、有機半導体層とを備える有機薄膜トランジスタであって、 上記ソース電極およびドレイン電極における、上記有機半導体層と電気的に接する部分に、ベンゼン環に結合した電子供与性基を有するベンゼンチオール化合物からなるチオール化合物層が形成されていることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30

FI (8件)：

H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/78 617U

Fターム (54件)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD33 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD68 ,  4M104DD89 ,  4M104FF19 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  5F110AA08 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-028763   出願人：株式会社日立製作所
• トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-345456   出願人：凸版印刷株式会社
• 有機薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-324106   出願人：旭化成株式会社
• 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-078396   出願人：株式会社東芝