特許

J-GLOBAL ID：201003078093893315

酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット

発明者： 宇都野 太 ,  井上 一吉
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (3件)： 渡辺 喜平 ,  田中 有子 ,  佐藤 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-178383
公開番号（公開出願番号）：特開2010-018457
出願日： 2008年07月08日
公開日（公表日）： 2010年01月28日
要約：

【課題】バルク抵抗が低く、高密度の酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット、及び金属薄膜に対し選択的エッチング可能な透明非晶質酸化物半導体膜を提供する。【解決手段】酸化亜鉛と酸化ガリウムと酸化スズからなり、ZnGa2O4で表されるスピネル化合物の格子定数とZn2SnO4で表されるスピネル化合物の格子定数との中間の格子定数を有するAB2O4型化合物で表されるスピネル化合物を含有する酸化物焼結体。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化亜鉛と酸化ガリウムと酸化スズからなり、ZnGa2O4で表されるスピネル化合物の格子定数とZn2SnO4で表されるスピネル化合物の格子定数との中間の格子定数を有するAB2O4型化合物で表されるスピネル化合物を含有する酸化物焼結体。

IPC (4件)：

C04B 35/453 ,  C04B 35/457 ,  C01G 19/00 ,  C23C 14/34

FI (4件)：

C04B35/00 P ,  C04B35/00 R ,  C01G19/00 A ,  C23C14/34 A

Fターム (22件)：

4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA01 ,  4G030GA14 ,  4G030GA22 ,  4G030GA27 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BA49 ,  4K029BC09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC07 ,  4K029DC09 ,  4K029DC33 ,  4K029DC34 ,  4K029GA00

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 酸化物半導体PN接合デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-278214   出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道
• 酸化物焼結体、その製造方法、それを用いた透明導電膜の製造方法、及び得られる透明導電膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-026580   出願人：住友金属鉱山株式会社
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-316393   出願人：凸版印刷株式会社

審査官引用 (1件)

• スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-394028   出願人：株式会社日鉱マテリアルズ