特許
J-GLOBAL ID:201003078676788137

銅薄膜形成用組成物および該組成物を用いた銅薄膜の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順 ,  大宅 一宏
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-089226
公開番号(公開出願番号):特開2010-242118
出願日: 2009年04月01日
公開日(公表日): 2010年10月28日
要約:
【課題】溶液塗布法による電子回路等の銅配線を形成するプロセスにおいて、大気中であっても、300°C程度の低温であっても、得られる銅薄膜の導電性を充分に維持することが可能な薄膜形成用組成物がない。【解決手段】必須成分として、ギ酸銅又はその水和物、アルカノールアミン化合物及びこれらを溶解せしめる有機溶剤を含有し、アルカノールアミン化合物がギ酸銅又はその水和物1モルに対して0.5〜5モル含有される銅薄膜形成用組成物を提供する。アルカノールアミンは、好ましくはジエタノールアミンであり、有機溶剤は、好ましくは1-ブタノールである。【選択図】なし
請求項(抜粋):
必須成分として、ギ酸銅又はその水和物、アルカノールアミン化合物及びこれらを溶解せしめる有機溶剤を含有し、アルカノールアミン化合物がギ酸銅又はその水和物1モルに対して0.5〜5モル含有される銅薄膜形成用組成物。
IPC (1件):
C23C 18/08
FI (1件):
C23C18/08
Fターム (6件):
4K022AA03 ,  4K022AA42 ,  4K022BA08 ,  4K022DA06 ,  4K022DB04 ,  4K022DB07

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