特許
J-GLOBAL ID：201003079242068019
金多孔質膜の製造方法および金多孔質膜
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
稲葉 良幸
, 大貫 敏史
, 江口 昭彦
, 内藤 和彦
, 土屋 徹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-060560
公開番号（公開出願番号）：特開2010-215930
出願日： 2009年03月13日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：
【課題】均質なナノスケールの細孔を有する金多孔質膜の安全かつ簡単な製造方法を提供する。【解決手段】カルボン酸またはカルボン酸塩水溶液中で金をアノード酸化する。カルボン酸、カルボン酸塩としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、乳酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、マレイン酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、およびそれらの塩が好ましい。また金電極にかける電位は、水素標準電極電位に対して+1.5〜11V程度が好ましい。これにより、均質で数nm〜数百nmの微細孔を有する金多孔質膜が得られる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
カルボン酸またはカルボン酸塩を含む水溶液中で金をアノード酸化することを特徴とする金多孔質膜の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
引用文献：
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