特許
J-GLOBAL ID：201003079372898447

半導体発光装置およびその製造方法

発明者：
小早川 正彦

小早川 正彦 について

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見連場 一寛

見連場 一寛 について

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安田 慎太郎

安田 慎太郎 について

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板井 順一

板井 順一 について

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岡田 泰輔

岡田 泰輔 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (6件)： 吉田 稔 ,  田中 達也 ,  仙波 司 ,  古澤 寛 ,  鈴木 泰光 ,  臼井 尚
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-003288
公開番号（公開出願番号）：特開2010-098276
出願日： 2009年01月09日
公開日（公表日）： 2010年04月30日
要約：
【課題】小型化を図りつつ放熱性を高めて高輝度化を図ることができる半導体発光装置を提供すること。【解決手段】1以上の半導体発光素子と、上記半導体発光素子を囲む樹脂パッケージ4と、を備える半導体発光装置A1であって、上記半導体発光素子をダイボンディングするためのダイボンディングパッドを有するとともに、このダイボンディングパッドの反対側の露出面12が樹脂パッケージ4から露出し、かつこの露出面12が樹脂パッケージ4によって囲われているリードを備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
1以上の半導体発光素子と、 上記半導体発光素子を囲む樹脂パッケージと、 を備える半導体発光装置であって、 上記半導体発光素子をダイボンディングするためのダイボンディングパッドを有するとともに、このダイボンディングパッドの反対側の面が上記樹脂パッケージから露出し、かつこの露出面がその面内方向において上記樹脂パッケージによって囲われているリードを備えることを特徴とする、半導体発光装置。
IPC (1件)：
H01L 33/48
FI (1件)：
H01L33/00 N
Fターム (11件)：
5F041AA33 ,  5F041AA47 ,  5F041DA07 ,  5F041DA14 ,  5F041DA17 ,  5F041DA19 ,  5F041DA33 ,  5F041DA34 ,  5F041DA35 ,  5F041DA36 ,  5F041DA44
引用特許：
審査官引用 (9件)
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