半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：矢作和行 , 野々部泰平 , 久保貴則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-151292
公開番号（公開出願番号）：特開2010-251793
出願日： 2010年07月01日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：

【課題】pnコラム領域を用いて複数の両面電極素子が構成された半導体装置において、装置を小型化しつつ過渡的信号による短絡の発生を抑制する。【解決手段】絶縁分離トレンチにより、半導体基板において複数の素子形成領域が区分された半導体装置であって、両面電極素子の形成領域として、半導体基板にpnコラム領域を設けた。そして、両面電極素子を構成する各素子形成領域がpnコラム領域を構成するp導電型半導体領域とn導電型半導体領域を含むように絶縁分離トレンチを形成した。また、両面電極素子としてnチャネル型両面電極素子とpチャネル型両面電極素子を含み、nチャネル型両面電極素子の素子形成領域では、n導電型半導体領域が並設方向両端に位置して絶縁分離トレンチに接し、pチャネル型両面電極素子の素子形成領域では、p導電型半導体領域が並設方向両端に位置して絶縁分離トレンチに接するようにした。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板における複数の素子形成領域をそれぞれ取り囲むとともに、前記複数の素子形成領域を互いに絶縁分離する絶縁分離トレンチと、前記複数の素子形成領域のそれぞれに構成される素子と、を備える半導体装置であって、前記素子として、対をなす第1電極及び第2電極が前記半導体基板の表面と該表面の裏面に分けて配置され、前記第1電極と前記第2電極との間に電流が流れる両面電極素子を少なくとも有し、前記半導体基板は、前記両面電極素子の形成領域として、p導電型半導体領域とn導電型半導体領域とが、前記半導体基板の厚さ方向と直交する方向に互いに隣接して交互に並設されたpnコラム領域を有し、前記pnコラム領域には、前記p導電型半導体領域及び前記n導電型半導体領域を含む前記素子形成領域が複数形成され、前記p導電型半導体領域又は前記n導電型半導体領域をドリフト領域とする前記両面電極素子が複数構成され、該複数の両面電極素子として、前記n導電型半導体領域をドリフト領域とするnチャネル型両面電極素子と、前記p導電型半導体領域をドリフト領域とするpチャネル型両面電極素子と、を有し、前記nチャネル型両面電極素子が構成された素子形成領域では、前記n導電型半導体領域が、前記並設方向における両端に位置してそれぞれ前記絶縁分離トレンチに接し、前記pチャネル型両面電極素子が構成された素子形成領域では、前記p導電型半導体領域が、前記並設方向における両端に位置してそれぞれ前記絶縁分離トレンチに接していることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/76 , H01L 29/78 , H01L 27/04 , H01L 27/08 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 27/092

FI (10件)：

H01L29/78 652R , H01L29/78 656A , H01L29/78 652H , H01L29/78 653A , H01L29/78 652S , H01L29/78 656B , H01L21/76 L , H01L27/08 331A , H01L27/08 102E , H01L27/08 321G

Fターム (36件)：

5F032AA16 , 5F032AA35 , 5F032AA43 , 5F032AA44 , 5F032AA54 , 5F032AA63 , 5F032CA17 , 5F032CA24 , 5F032CA25 , 5F032DA02 , 5F032DA22 , 5F032DA24 , 5F032DA53 , 5F032DA78 , 5F048AA01 , 5F048AA04 , 5F048AA05 , 5F048AB04 , 5F048AB10 , 5F048AC03 , 5F048AC06 , 5F048BA01 , 5F048BB02 , 5F048BB19 , 5F048BC01 , 5F048BC02 , 5F048BC03 , 5F048BC12 , 5F048BC18 , 5F048BD07 , 5F048BE04 , 5F048BF16 , 5F048BG12 , 5F048BG13 , 5F048BG14 , 5F048CB07

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