特許
J-GLOBAL ID：201003079824209210
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-238973
公開番号（公開出願番号）：特開2010-073851
出願日： 2008年09月18日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：
【課題】樹脂よりなる多層基板の内部に半導体チップを設けてなる半導体装置において、放熱部材の大型化を招くことなく、半導体チップの放熱性を向上させる。【解決手段】複数の樹脂よりなる樹脂層1〜8が積層されてなる多層基板10と、多層基板10の内部に設けられた板状をなす半導体チップ20とを備え、半導体チップ20の表面のうち半導体チップ20の厚さ方向と直交する面である一方の板面21には、半導体チップ20の熱を放熱する放熱部材30が熱的に接続されており、多層基板10の内部には、半導体チップ20の表面のうち半導体チップ20の厚さ方向に延びる面である側面23に熱的に接続された放熱層15が設けられている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
樹脂よりなる複数の樹脂層(1〜8)が積層されてなる多層基板(10)と、
前記多層基板(10)の内部に設けられた板状をなす半導体チップ(20)とを備え、
前記半導体チップ(20)の表面のうち前記半導体チップ(20)の厚さ方向と直交する面である一方の板面(21)には、前記半導体チップ(20)の熱を放熱する放熱部材(30)が熱的に接続されており、
前記多層基板(10)の内部には、前記半導体チップ(20)の表面のうち前記半導体チップ(20)の厚さ方向に延びる面である側面(23)に熱的に接続された放熱層(15)が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/12
, H05K 3/46
, H05K 7/20
H01L23/12 J
, H05K3/46 U
, H05K3/46 Q
, H05K7/20 D
, H01L23/12 501B
5E322AA11
, 5E322FA04
, 5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA43
, 5E346CC08
, 5E346CC32
, 5E346DD02
, 5E346DD12
, 5E346DD32
, 5E346EE01
, 5E346FF01
, 5E346FF18
, 5E346GG14
, 5E346GG15
, 5E346GG22
, 5E346GG25
, 5E346GG28
, 5E346HH17
