特許
J-GLOBAL ID:201003080318767815

基板構造及び半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (10件): 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-101652
公開番号(公開出願番号):特開2010-251631
出願日: 2009年04月20日
公開日(公表日): 2010年11月04日
要約:
【課題】バンプとUBMとの界面全体において接合強度を向上させた基板構造を実現できるようにする。【解決手段】基板構造は、半導体基板15と、半導体基板15の上に形成された電極14と、電極14の上に形成されたアンダーバリアメタル層12とを備えている。アンダーバリアメタル層12は、複数の微小凹部12aを有している。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体基板と、 前記半導体基板の上に形成された電極と、 前記電極の上に形成され、複数の微小凹部を有するアンダーバリアメタル層とを備えていることを特徴とする基板構造。
IPC (1件):
H01L 21/60
FI (1件):
H01L21/92 602H

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