特許
J-GLOBAL ID：201003081117067625
半導体装置を製造する製造装置及び半導体装置を製造する製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
龍華国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-060234
公開番号（公開出願番号）：特開2010-212638
出願日： 2009年03月12日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：
【課題】従来の接合装置では、電極の平坦化及びCMP処理以降の工程における接合面酸化により、十分な接合を達成できないことがあった。【解決手段】複数の半導体基板がそれぞれの接合面で接合されて積層された半導体装置を製造する製造装置は、接合面を活性化する活性化装置と、活性化装置により活性化され、かつ、重ね合わされた複数の半導体基板を、加圧及び加熱の少なくともいずれかにより接合する接合装置と、活性化装置による活性化から接合装置による接合に至る間の、接合面が酸化される酸化雰囲気に曝されることによる酸化の進行度合いを推定する酸化推定手段を含む制御部とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の半導体基板がそれぞれの接合面で接合されて積層された半導体装置を製造する製造装置であって、
前記接合面を活性化する活性化装置と、
前記活性化装置により活性化され、かつ、重ね合わされた複数の半導体基板を、加圧及び加熱の少なくとも一方により接合する接合装置と、
前記活性化装置による前記活性化から前記接合装置による前記接合に至る間の、前記接合面が酸化される酸化雰囲気に曝されることによる酸化の進行度合いを推定する酸化推定手段を含む制御部と、
を備える製造装置。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 21/60
, H01L 27/00
H01L21/02 B
, H01L21/60 311Q
, H01L27/00 301B
5F044LL15
, 5F044PP15
, 5F044QQ04
, 5F044RR00
