特許
J-GLOBAL ID:201003081431074300

静電容量センサ及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 藤本 英介 ,  神田 正義 ,  宮尾 明茂
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-090794
公開番号(公開出願番号):特開2010-244776
出願日: 2009年04月03日
公開日(公表日): 2010年10月28日
要約:
【課題】回路パターンと加飾層の組み合わせ性を向上させ、三次元形状の取付箇所に容易に設置することができ、高級感や上質感の演出に制約の少ない静電容量センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁性のフィルム2の表面に静電容量の変化を検出する導電性の回路パターン3を備えた回路パターン層1と、回路パターン層1の裏面に積層される保護層6と、回路パターン層1の表面に積層される絶縁性の加飾層7と、回路パターン層1と加飾層7を接着する中間接着層10と、加飾層7の表面を保護する保護層6Aと、回路パターン層1の裏面に保護層6を介して成形される支持体11とを備え、回路パターン層1、保護層6、加飾層7、中間接着層10、保護層6A、及び支持体11を三次元形成する。回路パターン層1と加飾層7を別体とするので、加飾層7や回路パターン3の導電ライン5が溶剤で滲んだり、損傷するおそれがない。【選択図】図4
請求項(抜粋):
フィルムの少なくとも表裏いずれか一方の面に静電容量の変化を検出する導電性の回路パターンを備えた回路パターン層と、この回路パターン層の表面に積層される加飾層とを含み、これら回路パターン層と加飾層とを三次元形成したことを特徴とする静電容量センサ。
IPC (1件):
H01H 36/00
FI (1件):
H01H36/00 J
Fターム (9件):
5G046AA11 ,  5G046AB01 ,  5G046AC22 ,  5G046AC26 ,  5G046AD02 ,  5G046AD09 ,  5G046AD13 ,  5G046AE02 ,  5G046AE05
引用特許:
審査官引用 (2件)

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