圧電体素子及びジャイロセンサ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：稲葉良幸 , 大貫敏史 , 深澤拓司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-084279
公開番号（公開出願番号）：特開2010-238856
出願日： 2009年03月31日
公開日（公表日）： 2010年10月21日
要約：

【課題】無応力状態で圧電体膜を成膜できる結晶構造を有する圧電体素子を提案することを課題とする。【解決手段】圧電体膜は、a軸配向結晶とc軸配向結晶とを含み、a軸配向結晶の格子定数とc軸配向結晶の格子定数との差が0.06Å以内である。本発明者は、a軸配向結晶の格子定数とc軸配向結晶の格子定数との差が0.06Å以内という条件を満たすときに、圧電特性を良好な特性値に維持しつつ、圧電体膜の内部に蓄積される応力を低減できるこを新規に見出した。上述の条件が満たされる場合には、c軸配向結晶とa軸配向結晶とが適度にバランスすることによって、圧電体膜の結晶粒子が下地上に理想的な状態で最蜜充填されることが応力低減に寄与しているものと考えられる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

下部電極と上部電極との間に圧電体膜を備える圧電体素子であって、前記圧電体膜は、a軸配向結晶とc軸配向結晶とを含み、前記a軸配向結晶の格子定数と前記c軸配向結晶の格子定数との差が0.06Å以内である、圧電体素子。

IPC (6件)：

H01L 41/09 , H01L 41/08 , H01L 41/187 , H01L 41/18 , G01C 19/56 , G01P 9/04

FI (6件)：

H01L41/08 C , H01L41/08 Z , H01L41/18 101D , H01L41/18 101Z , G01C19/56 , G01P9/04

Fターム (5件)：

2F105BB14 , 2F105CC01 , 2F105CD02 , 2F105CD06 , 2F105CD13

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