特許
J-GLOBAL ID:201003081814101750
X線反射装置及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (5件):
熊倉 禎男
, 大塚 文昭
, 西島 孝喜
, 須田 洋之
, 上杉 浩
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-256136
公開番号(公開出願番号):特開2010-085304
出願日: 2008年10月01日
公開日(公表日): 2010年04月15日
要約:
【課題】直線的なスリットを形成したX線反射装置の欠点を解消することのできるX線結像装置を提供する。【解決手段】X線反射装置は、シリコンウェハをドライエッチングして複数の曲線状のスリットを形成し、前記複数のスリットの各側壁を磁性流体を使って研磨してX線反射面を形成して得られる。さらに、X線反射面の形成後に、シリコンウェハ全体を塑性変形することにより、曲面上のX線反射装置が得られる。他のX線反射装置は、X線LIGAプロセスで複数の曲線状のスリットが形成された金属基板を形成し、磁性流体を使って前記複数のスリットの各側壁を研磨してX線反射面を形成して得られる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
シリコンウェハをドライエッチングして、複数の曲線状のスリットを形成する工程と、
磁性流体を使って前記複数のスリットの各側壁を研磨してX線反射面を形成する工程と、
を含んだX線反射装置の製造方法。
IPC (3件):
G21K 1/06
, G02B 5/08
, G02B 5/10
FI (6件):
G21K1/06 D
, G21K1/06 B
, G21K1/06 C
, G02B5/08 C
, G02B5/08 A
, G02B5/10
Fターム (8件):
2H042DA01
, 2H042DA12
, 2H042DA22
, 2H042DC05
, 2H042DC08
, 2H042DC12
, 2H042DD08
, 2H042DE00
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (9件)
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