特許
J-GLOBAL ID:201003081828743070

有機電界効果トランジスタ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 池田 憲保 ,  福田 修一
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-546783
公開番号(公開出願番号):特表2010-517284
出願日: 2008年01月23日
公開日(公表日): 2010年05月20日
要約:
本発明は有機電界効果トランジスタに関する。本発明による有機電界効果トランジスタは、有機半導体層203とゲート電極204との間に、チャネル領域とゲート電極との間にイオン伝導空間区域206を有する高分子膜205を備える。このイオン伝導空間区域206のために、ゲート電極と有機半導体層との距離を、従来技術による有機電界効果トランジスタよりも長くすることができる。
請求項(抜粋):
有機電界効果トランジスタであって ソース電極(201)及びドレイン電極(202)と、 前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にチャネル領域を形成するように配置される有機半導体層(203)と、 ゲート電極(204)と、 を備え、該有機電界効果トランジスタが、前記有機半導体層と前記ゲート電極との間に、前記チャネル領域と該ゲート電極との間にイオン伝導性を示す高分子膜(205)を備えることを特徴とする、有機電界効果トランジスタ。
IPC (3件):
H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30
FI (6件):
H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 280
Fターム (16件):
5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110FF01 ,  5F110FF40 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03

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