特許
J-GLOBAL ID:201003081908426661

広い表面積接触用途のための高度に接触可能なナノチューブ電極

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 田中 光雄 ,  山崎 宏 ,  元山 忠行 ,  冨田 憲史 ,  西野 満 ,  水原 正弘
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-528441
公開番号(公開出願番号):特表2010-510945
出願日: 2007年09月12日
公開日(公表日): 2010年04月08日
要約:
高多孔質導電性フィルムには、複数のカーボンナノチューブ、ナノワイヤーまたは両方の組み合わせが含まれる。高多孔質導電性フィルムは、25°Cで0.1Ω・cm未満の電気抵抗および0.05〜0.70g/cm3の密度を示す。フィルムは、0.50〜0.85g/cm3の密度および25°Cで6x10-3Ω・cm未満の電気抵抗を示しうる。カーボンナノチューブまたはナノワイヤーおよび犠牲ナノ粒子または微粒子を用いてコンポジットフィルムを形成することによりこれらの高多孔質導電性フィルムを形成する方法もまた含まれる。次いで、少なくとも一部のナノ粒子または微粒子は、コンポジットフィルムから除去され、高多孔質導電性フィルムを形成する。
請求項(抜粋):
多孔質カーボンナノチューブまたはナノワイヤーフィルムを形成する方法であって、 カーボンナノチューブまたはナノワイヤーおよび犠牲ナノ粒子または微粒子を含むコンポジットフィルムを形成すること、および 少なくとも一部の該ナノ粒子または微粒子を該フィルムから除去し、高多孔質ナノチューブまたはナノワイヤーフィルムを形成することを特徴とする、方法。
IPC (4件):
C01B 31/02 ,  H01B 1/04 ,  B82B 3/00 ,  B82B 1/00
FI (4件):
C01B31/02 101F ,  H01B1/04 ,  B82B3/00 ,  B82B1/00
Fターム (19件):
4G146AA12 ,  4G146AB07 ,  4G146AC20A ,  4G146AC20B ,  4G146AC22A ,  4G146AC22B ,  4G146AD11 ,  4G146AD23 ,  4G146CB10 ,  4G146CB17 ,  5E078BA15 ,  5G301BA03 ,  5H018AA02 ,  5H018AS01 ,  5H018BB00 ,  5H018BB12 ,  5H018EE05 ,  5H018HH05 ,  5H018HH06
引用特許:
審査官引用 (4件)
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