特許
J-GLOBAL ID：201003082750654684
半導体装置製造方法および露光パラメータ作成プログラム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-039864
公開番号（公開出願番号）：特開2010-199159
出願日： 2009年02月23日
公開日（公表日）： 2010年09月09日
要約：
【課題】適切な露光パラメータを容易に作成することができる半導体装置製造方法を得ること。【解決手段】半導体基板にパターンを形成する際の露光処理以外の加工工程を含むプロセス工程で生じるプロセス近接効果の変動を補正することによって、パターンを形成するためのレジストへ形成する露光後の目標パターンを設定し、目標パターンの寸法と露光後パターン寸法との差分が許容範囲内になるよう露光パラメータを調整し、調整した露光パラメータを用いて算出した露光マージンが許容範囲内である場合に、この露光パラメータを露光処理の露光パラメータに決定し、目標パターンを設定する際には、プロセス近接効果のシステマティック成分を用いて目標パターンを設定し、露光マージンを算出する際にはプロセス近接効果のランダム成分を用いて露光マージンの算出を行う。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板にパターンを形成する際の露光処理以外の加工工程を含むプロセス工程で生じるプロセス近接効果の変動を補正することによって、前記パターンを形成するためのレジストへ形成する露光後の目標パターンを設定する目標パターン設定ステップと、
前記目標パターンの寸法と露光した後のパターン寸法との差分が許容範囲内になるよう前記半導体基板への露光処理で用いる露光パラメータを調整する露光パラメータ調整ステップと、
前記露光パラメータを用いて前記パターンの露光マージンの算出を行う露光マージン算出ステップと、
前記露光マージンが許容範囲内であるか否かを判断する判断ステップと、
前記露光マージンが許容範囲内であると判断した場合に、調整した前記露光パラメータを前記半導体基板への露光処理で用いる露光パラメータに決定する露光パラメータ決定ステップと、
決定した前記露光パラメータを用いて前記半導体基板への露光処理を行うことによって、前記半導体基板にパターンを形成するパターン形成ステップと、
を含み、
前記目標パターン設定ステップは、前記プロセス近接効果のうち、システマティック成分を用いて前記目標パターンを設定し、
前記露光マージン算出ステップは、前記プロセス近接効果のばらつきのうち、ランダムにばらつくランダム成分を用いて前記露光マージンの算出を行うことを特徴とする半導体装置製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20
, G03F 1/08
H01L21/30 516Z
, H01L21/30 516D
, G03F7/20 521
, G03F1/08 A
2H095BA01
, 2H095BB01
, 2H095BB02
, 5F046AA25
, 5F046BA03
, 5F046DA02
, 5F046DA30
, 5F046DD06
