特許
J-GLOBAL ID：201003083428976540

スクライブ加工装置及びスクライブ加工方法

発明者：
森田 英俊

森田 英俊 について

, 
原 要一郎

原 要一郎 について


出願人/特許権者：
独立行政法人国立高等専門学校機構

独立行政法人国立高等専門学校機構 について


代理人 (1件)： 平井 安雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-021956
公開番号（公開出願番号）：特開2010-173316
出願日： 2009年02月02日
公開日（公表日）： 2010年08月12日
要約：
【課題】 スクライブ線となる亀裂の深さ方向への成長を抑制すると共に、脆性基板の表面における引張応力を高めることができ、スクライブ加工を精度よく行なうことができるスクライブ加工装置を提供するものである。【解決手段】 スクライブ加工装置100は、脆性基板200上において、間隔を隔てて第1の加熱点201及び第2の加熱点202を加熱し、第2の加熱点202が第1の加熱点201による軌跡に重畳して、第1の加熱点201及び第2の加熱点202に向けてレーザ光を照射するレーザ照射手段10と、脆性基板200上において、冷却点203が第2の加熱点202による軌跡に重畳して、冷却点203に向けて冷却水Wを噴射する冷却手段20と、を備え、第2の加熱点202が第1の加熱点201よりも熱量が高いものである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
脆性基板上にスクライブ線を形成するスクライブ加工装置であって、 脆性基板上において、間隔を隔てて一の加熱点及び他の加熱点を加熱し、当該一の加熱点が他の加熱点による軌跡に重畳して、当該加熱点に向けてレーザ光を照射するレーザ照射手段と、 脆性基板上において、冷却点が前記一の加熱点による軌跡に重畳して、当該冷却点に向けて冷媒を噴射する冷却手段と、 を備え、 前記一の加熱点が他の加熱点よりも熱量が高いことを特徴とするスクライブ加工装置。
IPC (7件)：
B28D 5/00 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/067 ,  B23K 26/42 ,  B23K 26/40 ,  C03B 33/09 ,  C04B 41/91
FI (8件)：
B28D5/00 Z ,  B23K26/00 D ,  B23K26/00 G ,  B23K26/067 ,  B23K26/42 ,  B23K26/40 ,  C03B33/09 ,  C04B41/91 E
Fターム (16件)：
3C069AA03 ,  3C069BA08 ,  3C069BB01 ,  3C069BB04 ,  3C069CA03 ,  3C069CA05 ,  3C069CA11 ,  4E068AA04 ,  4E068AD00 ,  4E068CB06 ,  4E068CD04 ,  4E068CE04 ,  4E068DB12 ,  4E068DB13 ,  4G015FA06 ,  4G015FB01
引用特許：
審査官引用 (1件)

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