特許
J-GLOBAL ID:201003083828544755

半導体素子用基板の製造方法および半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-081784
公開番号(公開出願番号):特開2010-238693
出願日: 2009年03月30日
公開日(公表日): 2010年10月21日
要約:
【課題】プリモールド付の半導体素子用基板の製造につき、半田ボール搭載時にボールがランドから脱落せず、高収率にて搭載を行える半導体素子用基板の製造方法や半導体装置を提供する。【解決手段】(イ)金属板に感光性樹脂層を設け所定のパターンに露光・現像することで、第1面に接続用ポスト形成用のエッチング用マスクを、又、第2面には配線パターン6形成用のエッチング用マスクを、それぞれ形成し、しかる後、(ロ)第一面は、中途までエッチングして接続用ポストを形成し、接続用ポスト以外にはプリモールド用の樹脂を充填し、接続用ポストを周囲のプリモールド樹脂よりも低くなるよう加工し、又、第二面はエッチングにより配線パターンを形成する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
(イ)金属板の面に感光性樹脂層を設けて該感光性樹脂層に所定のパターンに応じて選択的に露光を行い現像することにより、該金属板の第1の面に、該現像された該感光性樹脂層からなる接続用ポスト形成用のエッチング用マスクを、又、該金属板の他方の面である第2の面には、該現像された該感光性樹脂層からなる配線パターン形成用のエッチング用マスクを、それぞれ形成すること、 しかる後に、 (ロ)該第一の面に関しては、該第一の面側から該金属板の中途までエッチングを行うことにより該接続用ポストを形成し、該第一の面側の該接続用ポスト以外の部分にプリモールド用の樹脂を充填し、該第一の面側の該接続用ポストを周囲のプリモールド樹脂よりも高さが低くなるように加工すること、又、該第二の面に関しては、該第二の面側からエッチングを行い該配線パターンを形成すること、 を特徴とする半導体素子用基板の製造方法。
IPC (2件):
H01L 23/50 ,  H01L 23/12
FI (3件):
H01L23/50 B ,  H01L23/50 Y ,  H01L23/12 501W
Fターム (4件):
5F067AA01 ,  5F067CC03 ,  5F067CC07 ,  5F067DA16
引用特許:
審査官引用 (1件)

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