特許

J-GLOBAL ID：201003084474879130

トンネル磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗デバイス

発明者： 須永 和晋 ,  古屋 篤史 ,  駒垣 幸次郎 ,  金井 均
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (2件)： 綿貫 隆夫 ,  堀米 和春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-280787
公開番号（公開出願番号）：特開2010-109208
出願日： 2008年10月31日
公開日（公表日）： 2010年05月13日
要約：

【課題】トンネルバリア層の膜厚を薄くすることなくトンネルバリア層の低抵抗化を図ることができ、所要のMR比が得られるトンネル磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗デバイスを提供すること。【解決手段】トンネルバリア層27と、該トンネルバリア層27を挟む配置に設けられた磁化固定層26と磁化自由層28とを備え、前記トンネルバリア層27が、MgZnO層(Zn濃度が1at.%以上12.5at.%以下)からなり、該MgZnO層が岩塩型(001)方向に結晶配向して形成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

トンネルバリア層と、該トンネルバリア層を挟む配置に設けられた磁化固定層と磁化自由層とを備え、 前記トンネルバリア層が、MgZnO層(Zn濃度が1at.%以上12.5at.%以下)からなり、該MgZnO層が岩塩型(001)方向に結晶配向して形成されているトンネル磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L 43/10 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  G11B 5/39

FI (4件)：

H01L43/10 ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  G11B5/39

Fターム (32件)：

4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD07 ,  4M119DD08 ,  4M119DD09 ,  5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5F092AA02 ,  5F092AB03 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB34 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC18 ,  5F092BC19 ,  5F092BC22 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24

引用特許：

出願人引用 (4件)

• トンネル磁気抵抗素子、不揮発性磁気メモリ、発光素子および3端子素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-129097   出願人：国立大学法人東北大学
• 米国特許第7252852号
  
• 米国特許第7270896号
  
• 米国特許第7300711号