特許

J-GLOBAL ID：201003085420759586

半導体装置の製造方法

発明者： 橋場 祥晶
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-315297
公開番号（公開出願番号）：特開2010-141079
出願日： 2008年12月11日
公開日（公表日）： 2010年06月24日
要約：

【課題】横方向固相エピタキシャル成長法において単結晶膜成膜工程に要する時間を短縮し、半導体装置の製造を短時間で行う。【解決手段】単結晶シリコン部403及び絶縁膜401が表面において露出したウエハ200を、構成元素としてSiを含むガスの雰囲気中に曝露し、単結晶シリコン部403及び絶縁膜401の上にアモルファスのシリコン膜402を成膜する成膜工程と、成膜工程後に、シリコン膜402を加熱して、単結晶シリコン部403を基にしてシリコン膜402を単結晶化させる加熱工程と、加熱工程後に、ウエハ200を構成元素としてSiを含むガス及び構成元素としてClを含むガスの混合雰囲気中に曝露し、単結晶化した部分を残留させつつ、単結晶化しなかった部分を除去する選択成長工程と、を含む半導体装置の製造方法であって、ウエハ200に対して、成膜工程、加熱工程及び選択成長工程を繰り返す。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン部及び絶縁部が表面において露出した複数の基板を所定の間隔で積層状に保持し、構成元素としてSiを含むガスの雰囲気中に曝露し、前記単結晶シリコン部及び前記絶縁部の上にアモルファスのシリコン膜を成膜する成膜工程と、 前記成膜工程後に、前記シリコン膜を加熱して、前記単結晶シリコン部を基にして前記アモルファスのシリコン膜を単結晶化させる加熱工程と、 前記加熱工程後に、前記基板を構成元素としてSiを含むガス及び構成元素としてClを含むガスの混合雰囲気中に曝露し、前記単結晶化した部分を残留させつつ、前記絶縁部の上の単結晶化しなかった部分を除去する選択成長工程と、を含み、 前記基板に対して、前記成膜工程、前記加熱工程及び前記選択成長工程を繰り返すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/00 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088

FI (8件)：

H01L21/20 ,  H01L27/12 R ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 613Z ,  H01L21/324 G ,  H01L27/00 301R ,  H01L27/08 102E

Fターム (50件)：

5F048AA01 ,  5F048AC01 ,  5F048BA09 ,  5F048BA19 ,  5F048BA20 ,  5F048BC16 ,  5F048CB01 ,  5F048CB10 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD11 ,  5F110DD21 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110PP01 ,  5F110PP23 ,  5F110PP31 ,  5F110PP36 ,  5F110QQ04 ,  5F152AA02 ,  5F152CC07 ,  5F152CC08 ,  5F152CC16 ,  5F152CD09 ,  5F152CD12 ,  5F152CD24 ,  5F152CD25 ,  5F152CE05 ,  5F152CE06 ,  5F152CE12 ,  5F152CG05 ,  5F152CG17 ,  5F152DD01 ,  5F152FF22 ,  5F152FF29 ,  5F152LL03 ,  5F152LL18 ,  5F152LM02 ,  5F152LM05 ,  5F152MM04 ,  5F152MM19 ,  5F152NN03 ,  5F152NN04 ,  5F152NP11 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04