特許
J-GLOBAL ID:201003085482290614
カーボンナノチューブの製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-096591
公開番号(公開出願番号):特開2010-248006
出願日: 2009年04月13日
公開日(公表日): 2010年11月04日
要約:
【課題】CVD法を用いたカーボンナノチューブの製造工程において、触媒金属の触媒活性の低下を抑制して、カーボンナノチューブを効率的に生成できる技術を提供する。【解決手段】水素をプロトンとして伝導する水素伝導部40と、酸素を酸素イオンとして伝導する酸素伝導部13とが交互に配列された第1と第2の面11,12を有する成長用基板10を準備し、第1の面11にCNT触媒21を担持させる。第1の面11側に原料ガスを供給し、カーボンナノチューブ5を成長させるとともに、副生成物である水素を、水素伝導部40において、電圧を利用して、第2の面12側へと移動させる。カーボンナノチューブ5を採取した後に、第2の面12側に酸素を供給し、酸素伝導部30において、酸素イオンを第1の面11側へと伝導させ、残留カーボン7と反応させて発電することにより、残留カーボン7を除去する。【選択図】図3
請求項(抜粋):
化学気相成長法によって、カーボンナノチューブを成長させるカーボンナノチューブの製造方法であって、
(a)水素をプロトンとして伝導するプロトン伝導層と、酸素イオンを伝導する酸素イオン伝導層とが交互に配列された第1と第2の面を有する成長用基板を準備し、前記成長用基板の第1の面に、カーボンナノチューブの生成を促進するための触媒を担持する工程と、
(b)前記第1の面側に炭素原子と水素原子とを含む原料ガスを供給し、カーボンナノチューブを成長させるとともに、前記プロトン伝導層の前記第1と第2の面に電位差を生じさせることにより、前記カーボンナノチューブの副生成物である水素を、前記プロトン伝導層において、プロトンとして、前記第1の面側から前記第2の面側へと移動させる工程と、
(c)成長した前記カーボンナノチューブを採取した後に、前記第2の面側に酸素を供給して、前記酸素イオン伝導層において、前記第2の面側から前記第1の面側へと酸素イオンを伝導させ、前記第1の面側に残留しているカーボンと反応させて発電することにより、前記カーボンを除去する工程と、
を備える、製造方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (10件):
4G146AA11
, 4G146BA11
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BB23
, 4G146BC09
, 4G146BC33B
, 4G146BC34B
, 4G146BC43
, 4G146BC44
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