特許
J-GLOBAL ID：201003085520134630
界面近傍における欠陥密度が低いSOS基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (11件)：
奥山 尚一
, 有原 幸一
, 松島 鉄男
, 河村 英文
, 吉田 尚美
, 中村 綾子
, 深川 英里
, 森本 聡二
, 角田 恭子
, 松崎 隆
, 広瀬 幹規
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-130970
公開番号（公開出願番号）：特開2010-278338
出願日： 2009年05月29日
公開日（公表日）： 2010年12月09日
要約：
【課題】シリコンとサファイアとの格子定数の不適合に起因して欠陥密度が増大する問題を克服し、極めて薄いシリコン膜においても表面の欠陥密度が低いSOS基板を提供する。【解決手段】サファイア基板3と半導体基板1の表面からイオンを注入してイオン注入層2を形成する工程、表面の少なくとも一方の面に表面活性化処理を施す工程、前記半導体基板1の前記表面と前記サファイア基板3の前記表面とを50°C以上350°C以下で貼り合わせる工程、前記貼り合わせた基板に、最高温度として200°C以上350°C以下の熱処理を加え、接合体6を得る工程、前記接合体6を前記貼り合わせ温度より高温状態に設置し、サファイア基板3側または半導体基板1側から前記半導体基板1のイオン注入層2に向けて可視光を照射して前記イオン注入層2の界面を脆化し、前記半導体薄膜4を転写する工程により得られた貼り合わせSOS基板。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
サファイア基板上に、厚さが100nm以下の単結晶シリコン薄膜を備え、Secco(セコ)欠陥検出法および選択エッチング欠陥検出法により測定される前記単結晶シリコン薄膜表面の欠陥密度が、104個/cm2以下であるシリコン・オン・サファイア(SOS)基板。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 27/12
, H01L 21/265
H01L27/12 B
, H01L21/265 Q
, H01L27/12 S
