特許

J-GLOBAL ID：201003085657326501

前駆体造成物、薄膜形成方法、これを利用したゲート構造物の製造方法、及びキャパシタの製造方法

発明者： ▲曹▼ 侖廷 ,  金 潤洙 ,  ▲曹▼ 圭鎬 ,  李 禎浩 ,  崔 在亨 ,  柳 承旻
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-189956
公開番号（公開出願番号）：特開2010-050457
出願日： 2009年08月19日
公開日（公表日）： 2010年03月04日
要約：

【課題】 前駆体造成物、薄膜形成方法、これを利用したゲート構造物の製造方法、及びキャパシタの製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造に利用されることができる薄膜形成用造成物、薄膜形成方法、ゲート構造物の製造方法、及びキャパシタの製造方法において、薄膜造成方法は、前駆体と電子供与化合物を接触させて安定化された前駆体を基板上に提供した後(S20)、前駆体と結合を形成できる反応物質を基板上に導入して、薄膜を形成する(S30)。電子供与化合物によって安定化された前駆体は、熱的安定性が優秀で、ステップカバレッジが優秀な薄膜を形成することができる。半導体製造工程の安全性、効率性及び信頼性を向上させることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

中心金属及び前記中心金属に結合されたリガンドを含む前駆体と電子供与化合物とを接触させて、安定化された前駆体を基板上に提供する段階と、 前記前駆体の前記中心金属と結合を形成できる反応物質を前記基板上に導入する段階と、 を含む薄膜形成方法。

IPC (8件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108

FI (6件)：

H01L21/316 X ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 617V ,  H01L27/04 C ,  H01L27/10 621C ,  H01L27/10 651

Fターム (82件)：

5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC10 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ20 ,  5F058BA09 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF02 ,  5F058BF26 ,  5F058BF27 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD24 ,  5F083GA06 ,  5F083GA21 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA53 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083NA01 ,  5F083PR21 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110HJ13 ,  5F110HM17 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN35 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110NN72 ,  5F140AA00 ,  5F140AB09 ,  5F140AC36 ,  5F140BA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK13 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CC03 ,  5F140CC05 ,  5F140CC07 ,  5F140CC08 ,  5F140CC09 ,  5F140CC13