特許

J-GLOBAL ID：201003085752796841

基板処理装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 堀田 英樹 ,  水野 謙和
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-315260
公開番号（公開出願番号）：特開2010-141076
出願日： 2008年12月11日
公開日（公表日）： 2010年06月24日
要約：

【課題】 基板上への異物の吸着を抑制する。【解決手段】 処理室内に基板の積層方向に沿って立設され、複数のガス供給口を有し、液体原料を気化させて得られる第1の処理ガスを処理室内に供給する第1のガス供給ノズルと、液体原料を気化させる気化器と、第1のガス供給ノズルと隣接して立設され、複数のガス供給口を有し、第2の処理ガス及び不活性ガスを処理室内に供給する第2のガス供給ノズルと、を備え、第1の処理ガスと第2の処理ガスとを互いに混合しないよう交互に供給して基板上に所望の膜を形成し、第1の処理ガスを供給する際には、第1の処理ガスの供給流量より多い流量で前記第2のガス供給ノズルから不活性ガスを供給する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

複数の基板を積層して収容する処理室と、 前記処理室内に所望のガスを供給するガス供給手段と、 前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、 少なくとも前記ガス供給手段及び前記排気手段を制御する制御部と、を備え、 前記ガス供給手段は、 前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って立設され、複数のガス供給口を有し、液体原料を気化させて得られる第1の処理ガスを前記処理室内に供給する第1のガス供給ノズルと、 前記液体原料を気化させる気化器と、 前記第1のガス供給ノズルと隣接して立設され、複数のガス供給口を有し、第2の処理ガス及び不活性ガスを前記処理室内に供給する第2のガス供給ノズルと、を備え、 前記制御部は、 前記ガス供給手段及び前記排気手段を制御して、前記第1の処理ガスと前記第2の処理ガスとを互いに混合しないよう交互に供給して前記基板上に所望の膜を形成し、前記第1の処理ガスを供給する際には、前記第1の処理ガスの供給流量より多い流量で前記第2のガス供給ノズルから不活性ガスを供給する基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/455

FI (2件)：

H01L21/31 B ,  C23C16/455

Fターム (31件)：

4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030EA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA07 ,  4K030HA01 ,  4K030JA05 ,  4K030KA04 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AA15 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC08 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AF03 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE19 ,  5F045EF03 ,  5F045EK06 ,  5F045EM10