特許
J-GLOBAL ID：201003086184768141

シリコン酸化膜の形成方法および不揮発性半導体記憶装置の製造方法

発明者：
清利 正弘

清利 正弘 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 特許業務法人 サトー国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-247958
公開番号（公開出願番号）：特開2010-080709
出願日： 2008年09月26日
公開日（公表日）： 2010年04月08日
要約：
【課題】低温で良好な絶縁膜であるシリコン酸化膜を形成する。【解決手段】シリコン基板1上にトレンチ1a、1bを形成し、シラザン結合を有するポリマーを有機溶媒に溶かした塗布剤を塗布して塗布膜を形成する。塗布膜に含まれる有機溶媒を気化させてポリマー膜を形成する。ポリマー膜に90°C以下の温度で紫外線を照射し、そのポリマー膜を50°C以上80°C未満の温度の純水または水溶液中に浸漬することによってシリコン酸化膜3に転換する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にシラザン結合を有するポリマーを有機溶媒に溶かした塗布剤を塗布して塗布膜を形成する工程と、 前記塗布膜に含まれる前記有機溶媒を気化させてポリマー膜を形成する工程と、 前記ポリマー膜に90°C以下の温度で紫外線を照射する工程と、 前記紫外線を照射したポリマー膜を50°C以上80°C未満の温度の純水または水溶液中に浸漬することによってシリコン酸化膜に転換する工程と を有することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。
IPC (13件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/312
FI (11件)：
H01L21/316 G ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 451 ,  H01L27/10 448 ,  H01L29/78 371 ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 626C ,  H01L21/76 L ,  H01L21/90 K ,  H01L21/312 C
Fターム (96件)：
5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA77 ,  5F032AA78 ,  5F032BA02 ,  5F032BA03 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA10 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA33 ,  5F032DA34 ,  5F032DA41 ,  5F032DA53 ,  5F032DA74 ,  5F033GG04 ,  5F033HH08 ,  5F033JJ08 ,  5F033KK04 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR04 ,  5F033SS21 ,  5F033VV15 ,  5F033VV16 ,  5F033WW01 ,  5F033WW03 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG09 ,  5F058AG10 ,  5F058AH01 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC05 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BH17 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083EP55 ,  5F083EP76 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083NA01 ,  5F083NA06 ,  5F083PR21 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F101BA01 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB02 ,  5F101BD02 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BH02 ,  5F101BH16 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110FF02 ,  5F110FF27 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN36 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (1件)

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