電界効果型トランジスタ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：中島淳 , 加藤和詳 , 西元勝一 , 福田浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-056650
公開番号（公開出願番号）：特開2010-212436
出願日： 2009年03月10日
公開日（公表日）： 2010年09月24日
要約：

【課題】金属酸化物をチャネルに用いた電界効果型トランジスタにおいて、ゲート絶縁層とチャネル層との間の界面が良好な構造を提供する。【解決手段】基板1と、前記基板1上に、ゲート電極5と、ゲート絶縁層6と、チャネル層4と、ソース電極2と、ドレイン電極3と、を有し、前記ゲート絶縁層6及び前記チャネル層4は、ガリウム(Ga)及び酸素(O)を少なくとも構成元素とする層である、電界効果型トランジスタ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、チャネル層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、前記ゲート絶縁層及び前記チャネル層は酸化ガリウムを含む、電界効果型トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/316 , H01L 21/31 , H01L 21/365

FI (7件)：

H01L29/78 617T , H01L29/78 617V , H01L29/78 618B , H01L29/78 618A , H01L21/316 X , H01L21/31 C , H01L21/365

Fターム (77件)：

5F045AA08 , 5F045AB31 , 5F045AB40 , 5F045AC08 , 5F045AC11 , 5F045AC17 , 5F045AD04 , 5F045AF07 , 5F045AF10 , 5F045BB07 , 5F045BB16 , 5F045CA15 , 5F045DA57 , 5F045DP25 , 5F045DP27 , 5F045DQ10 , 5F045EB02 , 5F045EF01 , 5F045EH11 , 5F045EH18 , 5F045EM01 , 5F058BA11 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF07 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF36 , 5F058BF37 , 5F058BF39 , 5F058BG01 , 5F058BJ04 , 5F110AA05 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF06 , 5F110FF07 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110FF31 , 5F110FF35 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG15 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110QQ14

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