特許
J-GLOBAL ID:201003086735219047

受光素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-231073
公開番号(公開出願番号):特開2010-067708
出願日: 2008年09月09日
公開日(公表日): 2010年03月25日
要約:
【課題】共振による電界結合の乱れを低減することができる受光素子を得る。【解決手段】フォトダイオード10は、光導波路12の端面が受光面14となっている端面受光型のフォトダイオードである。信号電極16及びバイアス電極18は、フォトダイオード10の同一面上に形成され、フォトダイオード10のアノード及びカソードにそれぞれ接続されている。絶縁膜20がバイアス電極18上に形成されている。絶縁膜20上に金属電極22が形成されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
光導波路の端面が受光面となる端面受光型のフォトダイオードと、 前記フォトダイオードの同一面上に形成され、前記フォトダイオードのアノード及びカソードにそれぞれ接続された信号電極及びバイアス電極と、 前記バイアス電極上に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成された金属電極と、を備えることを特徴とする受光素子。
IPC (1件):
H01L 31/10
FI (1件):
H01L31/10 H
Fターム (7件):
5F049MA01 ,  5F049NA03 ,  5F049NA15 ,  5F049NB07 ,  5F049QA08 ,  5F049SE05 ,  5F049SE11
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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