特許
J-GLOBAL ID：201003086888846199

板状シリカ粒子の製造方法

発明者：
矢野 聡宏

矢野 聡宏 について

, 
小松 正樹

小松 正樹 について


出願人/特許権者：
花王株式会社

花王株式会社 について


代理人 (4件)： 大谷 保 ,  東平 正道 ,  片岡 誠 ,  平澤 賢一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-067963
公開番号（公開出願番号）：特開2010-222147
出願日： 2009年03月19日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：
【課題】比誘電率及び/又は誘電正接が低く、異方性が高い板状シリカ粒子の製造方法、及び該板状シリカ粒子を提供する。【解決手段】(1)ナノ細孔が実質的に存在しない中空状シリカ粒子を粉砕する工程を含む、比誘電率が3.5以下及び/又は誘電正接が0.01以下である板状シリカ粒子の製造方法、及び(2)その製造方法により得られた、比誘電率が3.5以下及び/又は誘電正接が0.01以下である板状シリカ粒子である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ナノ細孔が実質的に存在しない中空状シリカ粒子を粉砕する工程を含む、比誘電率が3.5以下及び/又は誘電正接が0.01以下である板状シリカ粒子の製造方法。
IPC (1件)：
C01B 33/18
FI (1件)：
C01B33/18 Z
Fターム (21件)：
4G072AA25 ,  4G072BB02 ,  4G072BB16 ,  4G072DD05 ,  4G072DD06 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH03 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ33 ,  4G072JJ47 ,  4G072LL06 ,  4G072MM22 ,  4G072MM23 ,  4G072MM26 ,  4G072MM31 ,  4G072MM36 ,  4G072RR05 ,  4G072TT06 ,  4G072TT30 ,  4G072UU01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM