半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：藤村元彦 , 永岡重幸 , 高野信司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-211937
公開番号（公開出願番号）：特開2010-050219
出願日： 2008年08月20日
公開日（公表日）： 2010年03月04日
要約：

【課題】半導体基板と半導体基板上に形成されたエピ層との界面に埋め込み層を有す半導体装置において、十分な高耐圧化を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1導電型半導体層11上に形成された第2導電型素子形成領域12の表面に埋め込まれるとともに、第2導電型素子形成領域12に形成された半導体素子を囲み且つ半導体素子を分離する第1導電型素子分離領域23から離間して形成された第2導電型高濃度領域21a、21bを有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層上に形成され、少なくとも1つの半導体素子がその表面領域に形成された第2導電型素子形成領域と、前記第2導電型素子形成領域を外部と絶縁しつつ分離する第1導電型素子分離領域と、前記第1導電型半導体層と前記第2導電型素子形成領域との界面に、前記第1導電型分離領域から離間して形成された第2導電型埋め込み領域と、を有する半導体装置であって、前記第2導電型素子形成領域の表面に埋め込まれるとともに、前記半導体素子を囲み且つ前記第1導電型素子分離領域から離間して形成された第2導電型高濃度領域を更に有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/76 , H01L 27/08 , H01L 21/823 , H01L 27/088

FI (4件)：

H01L21/76 S , H01L21/76 M , H01L27/08 331B , H01L27/08 102B

Fターム (29件)：

5F032AA13 , 5F032AB01 , 5F032AC01 , 5F032BA01 , 5F032BB01 , 5F032CA01 , 5F032CA17 , 5F032CA24 , 5F032DA60 , 5F048AA04 , 5F048AA05 , 5F048AA07 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BA12 , 5F048BB01 , 5F048BB05 , 5F048BB20 , 5F048BC02 , 5F048BC03 , 5F048BC07 , 5F048BC18 , 5F048BF11 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BF18 , 5F048BG12 , 5F048BH01 , 5F048BH07

引用特許：

出願人引用 (10件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-177335 出願人：白土猛英
特開昭63-081970
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-353597 出願人：三菱電機株式会社

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審査官引用 (15件)

特開昭63-081970
特開昭53-023581
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-269874 出願人：三洋電機株式会社

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