特許
J-GLOBAL ID：201003087191991464
半導体モジュール
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人あいち国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-050223
公開番号（公開出願番号）：特開2010-205960
出願日： 2009年03月04日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：
【課題】サージ電圧をより効果的に抑制できる半導体モジュールを提供する。【解決手段】金属製のハイサイド板4と、ローサイド板5と、ミドルサイド板6とを備える。ハイサイド板4とミドルサイド板6とにハイサイド側半導体チップ2が接続されており、ローサイド板5とミドルサイド板6とにローサイド側半導体チップ3が接続されている。ハイサイド板4およびローサイド板5と、ミドルサイド板6との間に導電板7が設けられている。ハイサイド板4とローサイド板5とを、導電板7および少なくとも1個のコンデンサ8を用いて接続している。ミドルサイド板6に流れる電流と、導電板7に流れる電流とが近接し、向きが逆向きになるため、磁束が互いに打ち消しあうようになる。これにより、実効インダクタンスを低減できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体スイッチング素子を有する半導体モジュールであって、
ハイサイド側の半導体スイッチング素子が形成されたハイサイド側半導体チップと、
ローサイド側の半導体スイッチング素子が形成されたローサイド側半導体チップと、
上記ハイサイド側半導体チップおよび上記ローサイド側半導体チップの交流出力側の主電極面に接続した金属製のミドルサイド板と、
上記ミドルサイド板との間で上記ハイサイド側半導体チップを挟持するとともに、該ハイサイド側半導体チップの直流入力側の主電極面に接続した金属製のハイサイド板と、
該ハイサイド板に隣接配置され、上記ミドルサイド板との間で上記ローサイド側半導体チップを挟持するとともに、該ローサイド側半導体チップの直流入力側の主電極面に接続した金属製のローサイド板と、
上記ハイサイド板およびローサイド板と、上記ミドルサイド板との間に設けられた導電板とを備え、
上記ハイサイド板と上記ローサイド板とを、上記導電板および少なくとも1個のコンデンサを用いて接続するよう構成されていることを特徴とする半導体モジュール。
IPC (2件)：
FI (1件)：
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