電荷結合素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-208826
公開番号（公開出願番号）：特開2010-045235
出願日： 2008年08月14日
公開日（公表日）： 2010年02月25日
要約：

【課題】転送電極による段差の側壁部分に付着しているバリアメタル膜をドライエッチングで除去する際に、下地の絶縁膜が削れてしまう。【解決手段】本発明のCCD製造方法は、半導体基板1上に転送電極4を覆う状態で絶縁膜6を形成した後、この絶縁膜6を覆う状態で第1の金属膜7を形成する工程と、転送電極4上に形成された接続孔を埋め込む状態で第1の金属膜7の上にバリアメタル膜11と第2の金属膜12を順に積層して形成する工程と、第2の金属膜12の上に形成されたレジストパターン14をマスクとして第2の金属膜12をドライエッチングにより加工する工程と、レジストパターン14をマスクとし且つ第1の金属膜7をエッチングストッパーとしてバリアメタル膜11をドライエッチングにより加工する工程と、レジストパターン14をマスクとして第1の金属膜7をドライエッチングにより加工する工程とを含む。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板上に転送電極を形成する工程と、前記半導体基板上に前記転送電極を覆う状態で絶縁膜を形成する工程と、前記半導体基板上に前記絶縁膜を覆う状態で第1の金属膜を形成する工程と、前記転送電極上に前記第1の金属膜と前記絶縁膜を貫通する状態で接続孔を形成する工程と、前記接続孔を埋め込む状態で前記第1の金属膜の上にバリアメタル膜と第2の金属膜を順に積層して形成する工程と、前記第2の金属膜の上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記第2の金属膜をドライエッチングにより加工する工程と、前記レジストパターンをマスクとし且つ前記第1の金属膜をエッチングストッパーとして前記バリアメタル膜をドライエッチングにより加工する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記第1の金属膜をドライエッチングにより加工する工程とを含む電荷結合素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/148 , H01L 27/14 , H01L 21/339 , H01L 29/762

FI (3件)：

H01L27/14 B , H01L27/14 D , H01L29/76 301A

Fターム (7件)：

4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA10 , 4M118DA20 , 4M118DA40 , 4M118FA06 , 4M118GB18

引用特許：

出願人引用 (1件)

固体撮像素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-330807 出願人：ソニー株式会社

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