特許

J-GLOBAL ID：201003088514599433

発光装置

発明者： 村井 章彦
出願人/特許権者： パナソニック電工株式会社
代理人 (1件)： 西川 惠清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-098385
公開番号（公開出願番号）：特開2010-251481
出願日： 2009年04月14日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：

【課題】放熱性に優れ、光出力の向上を図れる発光装置を提供する。【解決手段】酸化亜鉛基板1aの一表面側に形成されp型窒化物半導体層11およびn型窒化物半導体層13を有するLED薄膜部1bを備えた半導体発光素子1と、該半導体発光素子1の酸化亜鉛基板1aにおける他表面側が光取り出し面となるように金属バンプ3,4を介して半導体発光素子1を実装する実装基板2と、を有する発光装置20であって、半導体発光素子1は、平面視において酸化亜鉛基板1aの前記一表面側における外周部1dが露出するように酸化亜鉛基板1aよりも小さいLED薄膜部1bを備えてなり、金属バンプ3,4が、酸化亜鉛基板1aの外周部1dにLED薄膜部1bを囲むように設けられる複数個の第一の金属バンプ3と、LED薄膜部1bにおける酸化亜鉛基板1aと対向する表面側に設けられる複数個の第二の金属バンプ4を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導電性基板と該導電性基板の一表面側に形成されp型窒化物半導体層およびn型窒化物半導体層を有するLED薄膜部とを備えた半導体発光素子と、該半導体発光素子の前記導電性基板における他表面側が光取り出し面となるように金属バンプを介して前記半導体発光素子を実装する実装基板と、を有する発光装置であって、 前記半導体発光素子は、平面視において前記導電性基板の前記一表面側における外周部が露出するように前記導電性基板よりも小さい前記LED薄膜部を備えてなり、前記金属バンプが、前記導電性基板の前記外周部に前記LED薄膜部を囲むように設けられる複数個の第一の金属バンプと、前記LED薄膜部における前記導電性基板と対向する表面側に設けられる複数個の第二の金属バンプであることを特徴とする発光装置。

IPC (1件)：

H01L 33/32

FI (1件)：

H01L33/00 186

Fターム (16件)：

5F041AA04 ,  5F041AA33 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F041CB36 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA19 ,  5F041DA20 ,  5F041FF11