特許
J-GLOBAL ID：201003088592697441

成膜方法及び成膜装置

発明者：
松永 正信

松永 正信 について

, 
野寺 伸武

野寺 伸武 について

, 
長谷部 一秀

長谷部 一秀 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-259142
公開番号（公開出願番号）：特開2010-090413
出願日： 2008年10月04日
公開日（公表日）： 2010年04月22日
要約：
【課題】原料ガスを間欠的に供給する際に、安全性を維持しつつ多量の原料ガスを処理容器内へ供給することができ、この結果、成膜レートを向上できるのみならず、膜中における原料ガスに含まれる元素の濃度をコントロールして、例えばこの元素濃度を高くすることが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】被処理体Wが収容されて真空引き可能になされた処理容器4内で被処理体Wの表面に薄膜を形成する成膜方法において、処理容器4内へ原料ガスを、間に間欠期間を挟んで複数回供給して原料ガスを被処理体Wの表面に吸着させる吸着工程と、処理容器4内へ反応ガスを供給して被処理体Wの表面に吸着している原料ガスと反応させて薄膜を形成する反応工程とを交互に複数回繰り返し行うようにする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被処理体が収容されて真空引き可能になされた処理容器内で前記被処理体の表面に薄膜を形成する成膜方法において、 前記処理容器内へ原料ガスを、間に間欠期間を挟んで複数回供給して前記原料ガスを前記被処理体の表面に吸着させる吸着工程と、 前記処理容器内へ反応ガスを供給して前記被処理体の表面に吸着している前記原料ガスと反応させて前記薄膜を形成する反応工程とを交互に複数回繰り返し行うようにしたことを特徴とする成膜方法。
IPC (4件)：
C23C 16/455 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/316
FI (5件)：
C23C16/455 ,  H01L21/31 C ,  H01L21/318 B ,  H01L21/318 C ,  H01L21/316 X
Fターム (58件)：
4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA18 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA03 ,  4K030GA04 ,  4K030GA06 ,  4K030HA01 ,  4K030KA04 ,  4K030KA23 ,  4K030KA41 ,  4K030LA15 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045BB04 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EE19 ,  5F045EH13 ,  5F045EH18 ,  5F045EK06 ,  5F045EM10 ,  5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BC20 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BD18 ,  5F058BF04 ,  5F058BF06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BG10
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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