特許
J-GLOBAL ID：201003089568482430
太陽電池及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
寺山 啓進
, 伊藤 市太郎
, 三好 広之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-250723
公開番号（公開出願番号）：特開2010-080887
出願日： 2008年09月29日
公開日（公表日）： 2010年04月08日
要約：
【課題】太陽電池特性を向上させることができる太陽電池及びその製造方法を提供する。【解決手段】本実施形態に係る太陽電池10は、裏面上に形成されたin接合20とip接合30とを備える。ip接合30のi型アモルファスシリコン層30iは、n型アモルファスシリコン層20nの第2方向における一端部を覆う。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
受光面と、前記受光面の反対側に設けられる裏面とを有する半導体基板と、
前記裏面上に順次形成される真性な第1のi型半導体層と一導電型を有する一導電型半導体層とによって構成される第1の半導体接合と、
前記裏面上に順次形成される実質的に真性な第2のi型半導体層と他導電型を有する他導電型半導体層とによって構成される第2の半導体接合と
を備え、
前記第1の半導体接合及び前記第2の半導体接合それぞれは、第1方向に沿って形成されており、
前記第2のi型半導体層は、前記一導電型半導体層のうち前記第1方向と略直交する第2方向における一端部を覆う
ことを特徴とする太陽電池。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L31/04 N
, H01L31/04 L
5F051AA02
, 5F051AA05
, 5F051CA02
, 5F051CA03
, 5F051CA16
, 5F051DA04
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051GA04
, 5F051GA15
, 5F151AA02
, 5F151AA05
, 5F151CA02
, 5F151CA03
, 5F151CA16
, 5F151DA04
, 5F151FA04
, 5F151FA06
, 5F151GA04
, 5F151GA15
