半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 酒井將行 , 荒川伸夫 , 佐々木眞人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-132035
公開番号（公開出願番号）：特開2010-278386
出願日： 2009年06月01日
公開日（公表日）： 2010年12月09日
要約：

【課題】付加的な洗浄工程を追加することなくバリア膜の洗浄を行なうことができ、生産コストの上昇が抑えられる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】Low-k膜の開口部に、バリア膜を介在させて銅めっき膜が形成される。次に、バリア膜のルテニウムを除去するための所定の洗浄処理が施される。このとき、半導体基板の裏面に、塩酸と過酸化水素水とをそれぞれ所定時間吐出させる。次に、所定の時間待機することにより、塩酸と過酸化水素水とを反応させる。次に、反応した薬液を、半導体基板を回転させることによってその裏面に均一に広げる。この一連のステップを1サイクルとして、これを少なくとも1回、必要に応じて2回以上繰り返す。塩酸と過酸化水素水とが反応してより濃度の高い塩素イオンが発生することにより、ルテニウムが溶解して除去される。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

銅配線を備えた半導体装置の製造方法であって、半導体基板の主表面上に、層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記開口部に露出した表面上に、銅の拡散を阻止する所定の材料からなるバリア膜を形成する工程と、前記バリア膜の上に銅膜を形成する工程と、塩酸と、前記塩酸と反応することにより塩素イオンを発生する所定の薬液とを混合させて塩素イオンを発生させることにより、前記バリア膜の部分を溶解して除去する洗浄工程と、前記銅膜に研磨処理を施すことにより、前記開口部を充填する態様で前記バリア膜の上に銅配線を形成する工程とを備え、前記洗浄工程では、前記半導体基板の裏面に前記塩酸と所定の前記薬液とを吐出させて、前記裏面において前記塩酸と前記薬液とを混合するポストミックス法および前記塩酸と所定の前記薬液とを吐出直前で混合して前記半導体基板の裏面に吐出させるプリミックス法のいずれかの手法により洗浄が行われる、半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/306 , H01L 21/304

FI (4件)：

H01L21/88 R , H01L21/306 F , H01L21/304 647Z , H01L21/304 648G

Fターム (64件)：

5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ20 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ73 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033SS04 , 5F033XX34 , 5F043AA26 , 5F043BB18 , 5F043DD13 , 5F043EE08 , 5F043EE31 , 5F043GG03 , 5F157AA17 , 5F157AA54 , 5F157AA63 , 5F157AA95 , 5F157AB02 , 5F157AB14 , 5F157AB33 , 5F157AB90 , 5F157AC01 , 5F157AC13 , 5F157BB22 , 5F157BC12 , 5F157BC13 , 5F157BC53 , 5F157BD33 , 5F157BD34 , 5F157BE12 , 5F157BE23 , 5F157BE44 , 5F157CB03 , 5F157CC02 , 5F157CE37 , 5F157CF90 , 5F157DB03 , 5F157DB45 , 5F157DC00 , 5F157DC11 , 5F157DC86

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