特許
J-GLOBAL ID：201003089871130040
導電性樹脂パターンを有する積層体の製造方法、および、積層体
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
野口 恭弘
, 深海 明子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-003579
公開番号（公開出願番号）：特開2010-161013
出願日： 2009年01月09日
公開日（公表日）： 2010年07月22日
要約：
【課題】エッチング後の導電性能、および、信頼性に優れた、導電性樹脂パターンを有する積層体の製造方法を提供すること。【解決手段】(a)透明基体、および、該透明基体に設けられた導電性樹脂組成物層を有する導電性積層体を準備する工程、(b)前記導電性樹脂組成物層上にレジストパターンを形成する工程、(c)硝酸セリウムアンモニウム、硫酸セリウムアンモニウム、および、次亜塩素酸塩よりなる群から選択された少なくとも1種類を含有するエッチング剤を用いてレジストパターン非形成部の導電性樹脂組成物層を除去する工程、並びに、(d)レジストパターンを、窒素原子を含有しない非プロトン性有機溶剤、および/または、化学構造中に窒素原子を有し、かつ、第一級、第二級アミン化合物および第四アンモニウム塩以外の有機溶剤を含有する剥離剤により除去する工程、をこの順で含むことを特徴とする導電性樹脂パターンを有する積層体の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(a)透明基体、および、該透明基体の少なくとも一面に設けられた導電性樹脂組成物層を有する導電性積層体を準備する工程、
(b)前記導電性樹脂組成物層上にレジストパターンを形成する工程、
(c)硝酸セリウムアンモニウム、硫酸セリウムアンモニウム、および、次亜塩素酸塩よりなる群から選択された少なくとも1種類を含有するエッチング剤を用いてレジストパターン非形成部の導電性樹脂組成物層を除去する工程、並びに、
(d)レジストパターンを、窒素原子を含有しない非プロトン性有機溶剤、並びに、化学構造中に窒素原子を有し、かつ、第一級アミン化合物、第二級アミン化合物および有機第四アンモニウム塩以外の有機溶剤よりなる群から選択された少なくとも1種の有機溶剤を含有する剥離剤により除去する工程、をこの順で含むことを特徴とする
導電性樹脂パターンを有する積層体の製造方法。
IPC (5件)：
H01B 13/00
, H01B 5/14
, H05K 3/06
, H05K 1/09
, B32B 7/02
H01B13/00 503D
, H01B13/00 503B
, H01B5/14 B
, H01B5/14 A
, H05K3/06 P
, H05K1/09 D
, B32B7/02 104
4E351AA15
, 4E351BB01
, 4E351BB31
, 4E351DD40
, 4E351GG04
, 4E351GG06
, 4F100AG00
, 4F100AK01B
, 4F100AK42
, 4F100AK80B
, 4F100AR00A
, 4F100BA02
, 4F100DC11B
, 4F100EJ15B
, 4F100EJ153
, 4F100GB41
, 4F100JG01B
, 4F100JG04
, 4F100JJ03
, 4F100JN01A
, 4F100YY00
, 5E339AA01
, 5E339BE17
, 5E339CG01
, 5G307FA01
, 5G307FA02
, 5G307FB03
, 5G307FC06
, 5G307FC10
, 5G323BA05
, 5G323BB06
, 5G323BC03
, 5G323CA01
