特許

J-GLOBAL ID：201003090212270801

基板熱処理装置及び基板の製造方法

発明者： 柴垣 真果
出願人/特許権者： キヤノンアネルバ株式会社
代理人 (6件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二 ,  下山 治 ,  永川 行光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-049671
公開番号（公開出願番号）：特開2010-205922
出願日： 2009年03月03日
公開日（公表日）： 2010年09月16日
要約：

【課題】 基板を真空中で均一且つ急速に加熱すること、または、加熱した基板全体を速やかに冷却すること。【解決手段】 基板熱処理装置は、輻射率の高いカーボン又はカーボン被覆材料で構成した基板ステージを備えた基板ホルダユニットを昇降可能に真空チャンバ内に設け、真空チャンバ内の基板ホルダユニットの上方に、基板ステージと対向する放熱面を備えた加熱ユニットを設け、基板ステージを放熱面に接近させて、基板ステージ上に載置された基板と非接触状態で、放熱面からの輻射熱で基板を加熱できるようにすると共に、基板ホルダユニットに輻射版、金属炭化物、金属窒化物、ニッケル合金のいずれかで構成される反射板を備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板が載置される、カーボン又はカーボン被覆材料で構成された基板ステージを備えた基板ホルダユニットと、 前記基板ステージの上方に設けられており、当該基板ステージと対向する放熱面を備え、前記基板ステージの上に載置された基板に対して非接触状態で、前記放熱面からの輻射熱で前記基板を加熱する加熱ユニットと、 前記基板ホルダユニットと前記加熱ユニットとが設けられているチャンバと、 前記チャンバ内において、前記基板ステージと前記加熱ユニットの放熱面とを、接近、または離間させるために、前記基板ホルダユニットと前記加熱ユニットとのうちの少なくともいずれか一方を昇降させる昇降装置と、を有する基板熱処理装置であって、 前記基板ホルダユニットが、 前記基板ステージの下側に間隔をあけて配置され、前記基板ステージの下面から放射される熱を捕らえ、捕らえた熱を前記基板ステージに対して輻射する輻射板と、 前記輻射板の下側に間隔をあけて配置され、金属炭化物、金属窒化物、ニッケル合金、ニッケル基超合金のいずれかで形成された反射板と、を備えることを特徴とする基板熱処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/683

FI (5件)：

H01L21/324 Q ,  H01L21/265 602A ,  H01L21/324 W ,  H01L29/91 F ,  H01L21/68 N

Fターム (19件)：

5F031CA02 ,  5F031GA02 ,  5F031GA45 ,  5F031GA47 ,  5F031GA48 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA33 ,  5F031HA37 ,  5F031HA38 ,  5F031HA58 ,  5F031JA46 ,  5F031KA03 ,  5F031KA11 ,  5F031MA30 ,  5F031MA31 ,  5F031NA09 ,  5F031PA11 ,  5F031PA13