特許
J-GLOBAL ID：201003091319351177
半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
杉村 憲司
, 来間 清志
, 高梨 玲子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-028505
公開番号（公開出願番号）：特開2010-186802
出願日： 2009年02月10日
公開日（公表日）： 2010年08月26日
要約：
【課題】光取出し側の電極部である上側電極部と、この電極部と対になる電極部である中間電極部とを適切な位置関係で配設することにより、低順方向電圧を維持したままで、発光出力を向上させた半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】支持基板の上面側に、中間電極部を含む中間層、第2導電型半導体層、活性層、第1導電型半導体層および上側電極部を順次具え、前記支持基板の下面側に下側電極層を具える半導体発光素子であって、前記中間層は、線状または島状に延在する少なくとも1つの中間電極部を有し、前記上側電極部と前記中間電極部とを前記支持基板の上面と平行な仮想面上に投影したとき、前記上側電極部と前記中間電極部とは、平行かつ相互にずれた位置関係にあり、前記上側電極部と前記中間電極部との間の距離は、10〜50μmの範囲であることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
支持基板の上面側に、中間電極部を含む中間層、第2導電型半導体層、活性層、第1導電型半導体層および上側電極部を順次具え、前記支持基板の下面側に下側電極層を具える半導体発光素子であって、
前記中間層は、線状または島状に延在する少なくとも1つの中間電極部を有し、
前記上側電極部と前記中間電極部とを前記支持基板の上面と平行な仮想面上に投影したとき、
前記上側電極部と前記中間電極部とは、平行かつ相互にずれた位置関係にあり、
前記上側電極部と前記中間電極部との間の距離は、10〜50μmの範囲である
ことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F041AA03
, 5F041AA21
, 5F041CA36
, 5F041CA65
, 5F041CA85
, 5F041CA93
, 5F041CA98
審査官引用 (3件)
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発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2006-078454
出願人：松下電器産業株式会社
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半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2007-103710
出願人：日立電線株式会社
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半導体発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-333797
出願人：松下電工株式会社
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