ヒートシンク付きパワーモジュール用基板及びパワーモジュール、並びに、ヒートシンク付きパワーモジュール用基板の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 村山靖彦 , 柳井則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-066368
公開番号（公開出願番号）：特開2010-258420
出願日： 2010年03月23日
公開日（公表日）： 2010年11月11日
要約：

【課題】低エネルギーで製造可能であるとともに、反り、ろう付け不良の発生を最小限に抑えることが可能なヒートシンク付きパワーモジュール用基板及びこれを備えたパワーモジュール、並びに、ヒートシンク付きパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。【解決手段】セラミックス基板11と、セラミックス基板の表面及び裏面にそれぞれ接合されたアルミニウムからなる第一の金属板12及び第二の金属板13と、第二の金属板に接合されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるヒートシンク4とを備え、第一の金属板及び第二の金属板のそれぞれとセラミックス基板とがSiを含有するろう材を用いて接合されるとともに、接合界面にCuが添加されており、各金属板にはSi及びCuが固溶しており、それぞれの前記接合界面から50μmの範囲におけるSi濃度が0.05〜1wt%,Cu濃度が0.05〜4wt%の範囲内に設定されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

セラミックス基板と、該セラミックス基板の表面に一面が接合されたアルミニウムからなる第一の金属板と、前記セラミックス基板の裏面に一面が接合されたアルミニウムからなる第二の金属板と、該第二の金属板の前記セラミックス基板と接合された前記一面と反対側の他面に接合されたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなるヒートシンクとを備え、前記第一の金属板及び前記第二の金属板のそれぞれと前記セラミックス基板とがSiを含有するろう材を用いて接合されるとともに、前記セラミックス基板とのそれぞれの接合界面にCuが添加されており、前記第一の金属板及び前記第二の金属板には、Si及びCuが固溶しており、それぞれの前記接合界面から50μmの範囲におけるSi濃度が0.05〜1.0wt%,Cu濃度が0.05〜4.0wt%の範囲内に設定されていることを特徴とするヒートシンク付きパワーモジュール用基板。

IPC (3件)：

H01L 23/36 , H01L 23/12 , C04B 37/02

FI (3件)：

H01L23/36 C , H01L23/12 J , C04B37/02 B

Fターム (19件)：

4G026BA03 , 4G026BA16 , 4G026BA17 , 4G026BB27 , 4G026BF17 , 4G026BF22 , 4G026BF42 , 4G026BG02 , 4G026BG03 , 5F136BB04 , 5F136DA21 , 5F136EA13 , 5F136FA02 , 5F136FA03 , 5F136FA14 , 5F136FA16 , 5F136FA75 , 5F136FA76 , 5F136GA02

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