特許
J-GLOBAL ID：201003092821790881

酸化物膜と固体電解質膜を備える抵抗変化メモリ素子およびこれの動作方法

発明者：
ヒュンサン、ファン

ヒュンサン、ファン について

, 
ジェシク、ユン

ジェシク、ユン について


出願人/特許権者：
クヮンジュ・インスティテュート・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー

クヮンジュ・インスティテュート・オブ・サイエンス・アンド・テクノロジー について


代理人 (11件)： 山崎 行造 ,  杉山 直人 ,  白銀 博 ,  赤松 利昭 ,  奥谷 雅子 ,  尾首 亘聰 ,  内藤 忠雄 ,  常光 克明 ,  安藤 麻子 ,  東野 博文 ,  武山 美子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-158437
公開番号（公開出願番号）：特開2010-016381
出願日： 2009年07月03日
公開日（公表日）： 2010年01月21日
要約：
【課題】酸化物膜と固体電解質膜を備える抵抗変化メモリ素子およびこれの動作方法を提供する。【解決手段】前記素子は、第1電極、前記第1電極上に形成された酸化物膜、前記酸化物膜上に配置された固体電解質膜、および前記固体電解質膜上に配置された第2電極を備える。前記方法は、前記素子の電極のうちのいずれか1つに基準電圧を印加し、残りの1つにフォーミング電圧を印加して前記酸化物膜を電気的に破壊させ、前記酸化物膜内に導電性チップを形成するステップを備える。前記第1電極に印加される電圧を基準として前記第2電極にプラスの電圧を印加し、前記固体電解質膜内に導電性フィラメントを形成する。前記第1電極に印加される電圧を基準として前記第2電極にマイナスの電圧を印加し、前記固体電解質膜内に形成された導電性フィラメントを除去する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1電極; 前記第1電極上に形成された酸化物膜; 前記酸化物膜上に配置された固体電解質膜(solid electrolyte layer):および 前記固体電解質膜上に配置された第2電極を含むことを特徴とする抵抗変化メモリ素子。
IPC (4件)：
H01L 27/10 ,  G11C 13/00 ,  H01L 49/00 ,  H01L 45/00
FI (4件)：
H01L27/10 451 ,  G11C13/00 A ,  H01L49/00 Z ,  H01L45/00 Z
Fターム (16件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083HA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5G301CA02 ,  5G301CA05 ,  5G301CA07 ,  5G301CA11 ,  5G301CA12 ,  5G301CA14 ,  5G301CA27 ,  5G301CA28 ,  5G301CD01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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