特許

J-GLOBAL ID：201003093056479796

ゲートスタック構造の順次処理のクラスター化方法

発明者： チュア, タイ チェン ,  オルセン, クリストファー ショーン ,  ザルニク, コリー ,  コンチ, ギュセピーナ
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一 ,  池田 成人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-537415
公開番号（公開出願番号）：特表2010-510677
出願日： 2007年11月20日
公開日（公表日）： 2010年04月02日
要約：

シリコンおよび酸素を備えるゲート誘電体を形成するための方法が提供される。該ゲート誘電体はまた、窒素または別の高k材料を含んでもよい。一態様では、該ゲート誘電体を形成するステップは、酸化シリコン層を形成するために酸化雰囲気において基板をアニーリングする工程と、気相堆積法によって該酸化シリコン層上に窒化シリコン層や高k層を堆積する工程と、該窒化シリコン層や高k層の上部表面を酸化する工程と、該基板をアニーリングする工程とを含む。該ゲート誘電体は、集積処理システム内に形成されてもよい。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

シリコンおよび酸素を備えるゲート誘電体を基板上に形成するための方法であって、 基板上に酸化シリコン層を形成するために、酸化雰囲気において、シリコンを備える前記基板に第1のアニーリングを行うステップと、 窒化シリコン層や、酸化ハフニウム層、ハフニウムシリケート層およびハフニウムランタンシリケート層からなる群より選択された高k層を、化学気相堆積法や原子層堆積法によって前記酸化シリコン層上に堆積するステップと、 前記窒化シリコン層や高k層の上部表面を酸化するために、酸素を備えるプラズマに前記窒化シリコン層や高k層を曝露するステップと、 前記基板に第2のアニーリングを行うステップと、 を備える方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (5件)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/316 M ,  H01L21/316 P ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 B

Fターム (33件)：

5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD09 ,  5F058BF04 ,  5F058BF23 ,  5F058BF27 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF55 ,  5F058BF56 ,  5F058BF63 ,  5F058BH02 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BE19 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG27 ,  5F140CE10