高抵抗材料

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人アイテック国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-009788
公開番号（公開出願番号）：特開2010-168226
出願日： 2009年01月20日
公開日（公表日）： 2010年08月05日
要約：

【課題】新規な不純物ドープ窒化ガリウムからなる高抵抗材料を提供する。【解決手段】少なくともマンガンをドープした窒化ガリウム結晶(MnドープGaN)からなり、ホール測定による比抵抗が100Ω・cm以上の高抵抗材料であって、マンガンのドープ量が1×1017atoms/cm3以上であることが好ましい。また、この高抵抗材料は、いわゆるフラックス法により製造することが好ましい。前記高抵抗材料において、窒化ガリウム結晶は、マンガンに加えて、鉄、クロム、カルシウムのうち、少なくとも1つの元素が共添加されていてもよい。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

少なくともマンガンをドープした窒化ガリウム結晶からなり、ホール測定による比抵抗が100Ω・cm以上である、高抵抗材料。

IPC (3件)：

C30B 29/38 , C01G 15/00 , H01L 21/208

FI (3件)：

C30B29/38 D , C01G15/00 H , H01L21/208 D

Fターム (21件)：

4G077AA02 , 4G077AB01 , 4G077AB04 , 4G077AB06 , 4G077BE15 , 4G077CC04 , 4G077EB01 , 4G077HA05 , 5F053AA03 , 5F053AA44 , 5F053AA48 , 5F053BB04 , 5F053BB08 , 5F053BB27 , 5F053DD20 , 5F053FF05 , 5F053GG01 , 5F053HH04 , 5F053KK10 , 5F053LL10 , 5F053RR20

引用特許：

審査官引用 (6件)

半絶縁性GaNおよびその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-518986 出願人：クリーインコーポレイテッド
III族窒化物の結晶成長方法およびIII族窒化物結晶
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-014038 出願人：株式会社リコー
絶縁膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-106282 出願人：株式会社アルバック

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