特許

J-GLOBAL ID：201003093509064002

透明導電性基板およびその製造方法

発明者： 中田 邦彦 ,  菅原 健一朗
出願人/特許権者： 住友化学株式会社
代理人 (1件)： 深井 敏和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-170423
公開番号（公開出願番号）：特開2010-050088
出願日： 2009年07月21日
公開日（公表日）： 2010年03月04日
要約：

【課題】 優れた導電性を発現する酸化チタン系透明導電性基板を製造する、透明導電性基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 ドーパントとしてニオブまたはタンタルがドープされたドープ酸化チタンのアモルファスまたは酸化チタンのアモルファスからなる第一の膜の上に、該第一の膜を構成するドープ酸化チタンまたは酸化チタンのドーパント含有比率よりも高い含有比率で前記ドーパントがドープされたドープ酸化チタンのアモルファスからなる第二の膜が積層されてなる積層膜を、透明基材上に形成した後に、還元雰囲気下にて加熱によるアニール処理を施して、ニオブまたはタンタルがドープされた酸化チタンからなる透明導電性膜を形成することにより、比抵抗が9×10-3Ω・cm以下の透明導電性基板を得る。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

ドーパントとしてニオブまたはタンタルがドープされたドープ酸化チタンのアモルファスまたは酸化チタンのアモルファスからなる第一の膜の上に、該第一の膜を構成するドープ酸化チタンまたは酸化チタンのドーパント含有比率よりも高い含有比率で前記ドーパントがドープされたドープ酸化チタンのアモルファスからなる第二の膜が積層されてなる積層膜を、透明基材上に形成した後に、還元雰囲気下にて加熱によるアニール処理を施して、ニオブまたはタンタルがドープされた酸化チタンからなる透明導電性膜を形成する、ことを特徴とする比抵抗が9×10-3Ω・cm以下の透明導電性基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01B 13/00 ,  H01B 5/14 ,  B32B 9/00

FI (4件)：

H01B13/00 503B ,  H01B13/00 503C ,  H01B5/14 A ,  B32B9/00 A

Fターム (29件)：

4F100AA21A ,  4F100AA21B ,  4F100AG00 ,  4F100BA03 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100EH46A ,  4F100EH46B ,  4F100EH462 ,  4F100EJ42A ,  4F100EJ42B ,  4F100EJ423 ,  4F100GB41 ,  4F100JA12A ,  4F100JA12B ,  4F100JG01 ,  4F100JG10 ,  4F100JN01C ,  4F100YY00A ,  4F100YY00B ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10 ,  5G323BA05 ,  5G323BB01 ,  5G323BB02 ,  5G323BC03