特許

J-GLOBAL ID：201003093803590766

熱処理方法、半導体装置の製造方法、及びフラッシュランプアニール装置

発明者： 西ケ谷 啓太 ,  堀 充明 ,  久保 智裕 ,  迫田 恒久
出願人/特許権者： 富士通セミコンダクター株式会社
代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-004825
公開番号（公開出願番号）：特開2010-165733
出願日： 2009年01月13日
公開日（公表日）： 2010年07月29日
要約：

【課題】 熱処理方法、半導体装置の製造方法、及びフラッシュランプアニール装置に関し、紫外線照射による絶縁膜/半導体界面における水素で終端されたダングリング・ボンドからの水素の乖離を抑制する。【解決手段】 加熱源となるXeフラッシュランプの放出光を、前記放出光の内の紫外線の少なくとも一部を除去した状態で酸素を含む絶縁膜とSiを含む半導体基体との界面を有する試料に照射して熱処理を行う。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

加熱源となるXeフラッシュランプの放出光を、前記放出光の内の紫外線の少なくとも一部を除去した状態で酸素を含む絶縁膜とSiを含む半導体基体との界面を有する試料に照射して熱処理を行う熱処理方法。

IPC (6件)：

H01L 21/26 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78

FI (7件)：

H01L21/26 F ,  H01L21/265 602B ,  H01L21/26 G ,  H01L27/08 321E ,  H01L27/08 102B ,  H01L29/78 301F ,  H01L29/78 301S

Fターム (51件)：

5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB12 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F140AA24 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD09 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF59 ,  5F140BF60 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG34 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK14 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC01 ,  5F140CC02 ,  5F140CC08 ,  5F140CE07 ,  5F140CF04