特許
J-GLOBAL ID：201003093975652844
III族窒化物半導体製造方法およびIII族窒化物半導体育成用の種結晶
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-202647
公開番号（公開出願番号）：特開2010-037153
出願日： 2008年08月06日
公開日（公表日）： 2010年02月18日
要約：
【課題】Naフラックス法によってIII族窒化物半導体のc面基板を育成する場合において、従来よりも短時間で育成する方法を提供する。【解決手段】種結晶14は、長手方向をm軸方向、長手方向側面がa面、c面である直方体状のIII族窒化物半導体。この種結晶14のa面である側面に、Naフラックス法によってIII族窒化物半導体をa軸方向に結晶成長させる。これにより、二等辺三角形の板状のIII族窒化物半導体からなるc面基板18を得ることができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
III 族金属とアルカリ金属とを少なくとも含む混合融液と、少なくとも窒素を含む気体とを反応させ、種結晶にIII 族窒化物半導体を結晶成長させるIII 族窒化物半導体製造方法において、
前記種結晶は、長手方向をm軸方向とする帯状にIII 族窒化物半導体のa面が形成されており、
前記種結晶のa面に、III 族窒化物半導体結晶をa軸方向に板状に成長させることで、III 族窒化物半導体のc面基板を得る、
ことを特徴とするIII 族窒化物半導体製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (19件)：
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077CG01
, 4G077CG06
, 4G077ED01
, 4G077ED02
, 4G077ED04
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EE07
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077QA01
, 4G077QA12
, 4G077QA43
, 4G077QA71
, 4G077QA77
, 4G077QA79
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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